磁盤式存儲技術(shù)還有十年風(fēng)光：閃存硬盤前景不容樂觀
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而STTRAM技術(shù)則基于電子自旋理論，利用改變自旋偏振電流的方法改變磁場方向，以此達到記錄數(shù)據(jù)的目地。STTRAM技術(shù)在省電性能方面比PCRAM相變內(nèi)存技術(shù)更為優(yōu)越，不過目前這種技術(shù)每個存儲單元只能儲存單個bit，如果能夠突破這種限制的話，那么預(yù)計未來十年內(nèi)很有可能成為磁盤式硬盤技術(shù)的有力競爭對手。
文中還指出:“令人驚奇的是，我們的研究表明，即便到2020年，磁盤式硬盤仍將是每TB價格最低的一種存儲解決方案。另外，我們還發(fā)現(xiàn)業(yè)界投資最多的技術(shù)項目未必是發(fā)展?jié)摿ψ畲蟮募夹g(shù)，相反，這些技術(shù)公司只會在自己最擅長的技術(shù)上進行大量投資。”
文章出自希捷前CTO之手，再聯(lián)想到希捷在發(fā)展閃存式SSD硬盤方面的步伐確實相當(dāng)緩慢，我想現(xiàn)在大家應(yīng)該不會為此而感到奇怪了吧。
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