鎂光34nm企業(yè)級(jí)MLC/SLC NAND閃存明年初量產(chǎn)
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鎂光34nm制程企業(yè)級(jí)MLC/SLC NAND閃存芯片已經(jīng)進(jìn)入試樣階段，MLC部分的存儲(chǔ)密度可達(dá)32Gb，寫(xiě)入壽命達(dá)3萬(wàn)次，是普通MLC產(chǎn)品的6倍;SLC部分存儲(chǔ)密度為16Gb，寫(xiě)入壽命同樣為3萬(wàn)次，是普通SLC產(chǎn)品的3倍.
本文引用地址：http://www.biyoush.com/article/99114.htm
鎂光這次開(kāi)發(fā)成功的34nm MLC/SLC閃存芯片支持ONFI2.1接口規(guī)范(Open NAND Flash Interface)，數(shù)據(jù)傳輸率最高可達(dá)200MB/S，而且可以采用閃存封裝內(nèi)部集成多片閃存芯片的封裝方案。
鎂光表示，明年初這兩種閃存芯片便可正式量產(chǎn)。
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