2010年， ASML將有5臺最先進(jìn)的EUV設(shè)備整裝發(fā)往全球的5家客戶。業(yè)界傳言，最新的NXE3100系統(tǒng)將發(fā)送給3家頂級存儲器廠商和2家頂級邏輯廠商。EUV勝利的曙光正在向我們招手，雖然目前工程師們還在荷蘭Veldhoven專為EUV新建的大樓中忙碌，在設(shè)備出廠前，解決正在發(fā)生的問題，并預(yù)測著各種可能發(fā)生的問題及解決方案。

　　人們談?wù)揈UV的各種技術(shù)問題已歷時數(shù)年，因為其波長較目前的193nm縮短10倍以上，EUV一直是通往22nm的實力派參賽選手之一。與此同時，延伸immersion技術(shù)，用其它液體替代水，以及電子束曝光(EB)等技術(shù)也不斷被提入摩爾定律的延續(xù)日程。“ASML也曾經(jīng)通過收購進(jìn)入EB領(lǐng)域，但克服速度的瓶頸很難，因此最終選擇了放棄。”ASML資深副總裁Bert Koek說。通過改變液體延長浸入式光刻到更小線寬的方案，也因為對材料工藝研發(fā)投入的不確定性而在一年前宣布放棄。相信每一次的放棄對ASML來說都是艱難的抉擇。

　　而今，EUV已成為ASML進(jìn)軍22nm的唯一賭注。

　　圖：在ASML的光刻Roadmap中，EUV將主導(dǎo)2011年的先進(jìn)技術(shù)

　　好在從光源，到光刻膠、掩膜版、鏡頭、真空系統(tǒng)等各個領(lǐng)域，近年來ASML與它的供應(yīng)商們團(tuán)結(jié)奮進(jìn)，都取得了不錯的進(jìn)展。2009年9月Cymer 13.5nm光源的功率已從2008年底的20w提高到了75w，Burst Length從1mSec提高了到400mSec。為了達(dá)到2010年每小時60片的短期研發(fā)型產(chǎn)量目標(biāo)，功率再增加一倍是完全需要的。

　　光刻膠的分辨率也已經(jīng)從2006年的40nm提高到了目前的30nm左右，明年的目標(biāo)是22-25nm。

　　掩膜版的缺陷數(shù)也從2007年的1000/wafer 提高到了低于100/wafter。這一數(shù)字已經(jīng)進(jìn)入DRAM和NAND可以接受的范圍，但要達(dá)到logic需要的1/wafer標(biāo)準(zhǔn)，還有待進(jìn)一步努力。ASML研發(fā)副總Jos Benschop說，掩膜版將是EUV前進(jìn)途中最具挑戰(zhàn)的部分，不僅是技術(shù)，從經(jīng)濟(jì)的角度看也是如此。畢竟所需要的數(shù)量太少，如何實現(xiàn)高品質(zhì)低成本的量產(chǎn)絕對需要硬功夫。

　　據(jù)ASML介紹，2010年研發(fā)型EUV設(shè)備的價格將與浸入式光刻基本持平，而如果能成功提升速度到180WPH，達(dá)到量產(chǎn)可以接受的要求，價格還將有50%左右的提升，即達(dá)到6千萬歐元左右。對ASML來說，這是“華山一條路”，不容退縮，也無可退縮。