盡管近期DRAM價(jià)格大幅反彈，但估計(jì)2009年第3季仍僅有韓系兩大廠三星電子(Samsung Electronics)和海力士(Hynix)可以賺錢，2010年再輪到美光(Micron)和爾必達(dá)(Elpida)轉(zhuǎn)虧為盈，至于臺廠方面，由于 2010年三星制程技術(shù)將晉級到40納米，以目前臺廠腳步，未來恐將會有多家大廠被迫淡出標(biāo)準(zhǔn)型DRAM市場。

　　DRAM價(jià)格雖已開始反彈，然復(fù)原最快廠商仍是三星，第2季已開始賺錢，預(yù)計(jì)第3季三星和海力士兩大韓廠都可望進(jìn)入獲利，隨著DRAM產(chǎn)業(yè)逐步復(fù)蘇，美光和爾必達(dá)2010年可望陸續(xù)轉(zhuǎn)虧為盈。反觀臺廠，過去在每一次DRAM景氣復(fù)蘇過程中，都是最慢獲利的，但這次情況恐將大不相同。

　　存儲器業(yè)者指出，由于三星2010年將從50納米轉(zhuǎn)進(jìn)40納米制程，大部分臺廠卻仍停留在70納米或60納米制程，臺廠2010年不僅將面臨最晚獲利窘境，甚至?xí)媾R生存保衛(wèi)戰(zhàn)，恐將被迫淡出標(biāo)準(zhǔn)型DRAM領(lǐng)域，轉(zhuǎn)進(jìn)晶圓代工或利基型存儲器市場。

　　存儲器業(yè)者認(rèn)為，這次DRAM產(chǎn)業(yè)虧損甚鉅，問題不是出在生產(chǎn)家數(shù)過多，而是除三星之外，各廠前一波賺到錢時(shí)間點(diǎn)都一樣，因此，都在同一時(shí)間點(diǎn)進(jìn)行擴(kuò)產(chǎn)投資，導(dǎo)致產(chǎn)能大量產(chǎn)出時(shí)間點(diǎn)過近，進(jìn)而使得價(jià)格崩跌，未來惟有師法三星分散產(chǎn)品線，不能只押注DRAM產(chǎn)品，才能避免悲劇再發(fā)生。

　　此外，這波DRAM產(chǎn)業(yè)大浩劫，雖然價(jià)格跌幅并不是史上最慘烈，但各DRAM廠虧損金額卻刷新史上新紀(jì)錄，2000~2003年DRAM價(jià)格跌幅是史上最鉅，全球各家DRAM廠合計(jì)虧損約86億美元，2007年第2季到2009年第2季DRAM價(jià)格跌幅并未破紀(jì)錄，但全球各廠虧損金額卻高達(dá)173億美元，成為史上最慘烈。