機(jī)遇與挑戰(zhàn)：

• 　　太陽(yáng)能光伏需求擴(kuò)張導(dǎo)致供應(yīng)嚴(yán)重短缺，多晶硅價(jià)格一路飆升
• 　　受經(jīng)濟(jì)危機(jī)影響，半導(dǎo)體和光伏產(chǎn)業(yè)對(duì)多晶硅的需求急劇下降
• 　　國(guó)內(nèi)企業(yè)投資多晶硅不能簡(jiǎn)單依靠現(xiàn)有技術(shù)
• 　　國(guó)內(nèi)企業(yè)電耗高低不一，水平參差不齊

　　相關(guān)數(shù)據(jù)：

• 　　2004年以來(lái)多晶硅價(jià)格一路飆升，2008年最高達(dá)450美元/kg
• 　　2008年全球光伏市場(chǎng)年度新增安裝量為5.5GW，2007年度新增安裝量為2.4GW
• 　　國(guó)內(nèi)企業(yè)在綜合電耗高的在300kWh/kg以上，電耗低的則在200kWh/kg左右

　　太陽(yáng)能光伏需求擴(kuò)張導(dǎo)致供應(yīng)嚴(yán)重短缺，自2004年以來(lái)多晶硅價(jià)格一路飆升，2008年最高達(dá)450美元/kg，硅光伏產(chǎn)業(yè)鏈成為投資的寵兒，多晶硅投資擴(kuò)產(chǎn)項(xiàng)目不斷，主要有3方面的力量：一是全球7家十大廠的擴(kuò)產(chǎn)(美國(guó)的MEMC和Hemlock、挪威的REC、日本的Mitsubishi、SumitomoTitanium和Tokuyama、德國(guó)的Wacker)，這類(lèi)企業(yè)技術(shù)成熟成本領(lǐng)先;二是下游光伏企業(yè)向上游延伸建廠，如尚德、LDK;三是資本雄厚企業(yè)的多元化投資，如萬(wàn)向集團(tuán)(萬(wàn)向硅峰)、精功集團(tuán)(精功紹興太陽(yáng)能)、天源集團(tuán)(世紀(jì)新源)等。

　　但受經(jīng)濟(jì)危機(jī)影響，半導(dǎo)體和光伏產(chǎn)業(yè)對(duì)多晶硅的需求急劇下降，自2008年第4季度以來(lái)，多晶硅價(jià)格一路下滑，截至目前價(jià)格約為110美元/kg，前期宣稱(chēng)投資的項(xiàng)目都在做延期投資調(diào)整，生產(chǎn)企業(yè)產(chǎn)能處于開(kāi)工不足狀態(tài)，投資過(guò)熱、何時(shí)供需平衡等成為研究機(jī)構(gòu)熱議的話(huà)題。

　　業(yè)內(nèi)人士一致把產(chǎn)業(yè)振興的目光投向美國(guó)政府、日本、歐洲、還有中國(guó)，賽迪顧問(wèn)認(rèn)為，政府采購(gòu)和補(bǔ)貼固然是硅光伏產(chǎn)業(yè)發(fā)展的重要要素，但作為市場(chǎng)機(jī)制運(yùn)作下的產(chǎn)業(yè)，我國(guó)硅光伏項(xiàng)目投資前必須要知曉以下4個(gè)判斷，即產(chǎn)業(yè)鏈關(guān)系、技術(shù)特性、市場(chǎng)需求特性、成本構(gòu)成。

　　產(chǎn)業(yè)鏈關(guān)系判斷

　　硅光伏產(chǎn)業(yè)鏈長(zhǎng)且技術(shù)、工藝方面互相牽制，投資不能看成是一個(gè)企業(yè)的獨(dú)立行為，上下游關(guān)系是投資前首要考慮的要素。

　　晶體硅按純度不同分為太陽(yáng)能級(jí)和電子級(jí)硅材料。太陽(yáng)能級(jí)硅材料生產(chǎn)鏈包括：工業(yè)硅—多晶硅—多晶硅錠—硅片;工業(yè)硅—多晶硅—單晶硅棒—硅片。電子級(jí)硅材料生產(chǎn)鏈包括：工業(yè)硅—多晶硅—單晶硅—硅片。太陽(yáng)能級(jí)硅材料是光伏產(chǎn)業(yè)的上游材料，太陽(yáng)能光伏產(chǎn)業(yè)鏈包括硅料—硅片—電池片—電池組件—應(yīng)用系統(tǒng)5個(gè)環(huán)節(jié);電子級(jí)硅材料是半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的上游材料?？梢哉f(shuō)，硅光伏產(chǎn)業(yè)鏈條較長(zhǎng)，產(chǎn)業(yè)細(xì)分明顯，但由于產(chǎn)業(yè)供需矛盾和我國(guó)處于光伏產(chǎn)業(yè)初期階段的特性，產(chǎn)業(yè)鏈各環(huán)節(jié)之間的合作受市場(chǎng)、技術(shù)和工藝方面的牽制，例如電池片和組件環(huán)節(jié)就存在技術(shù)工藝的牽制現(xiàn)象，薄硅片技術(shù)一直是硅材料技術(shù)的發(fā)展方向，最近幾年硅片從最初的330μm向180μm甚至更薄發(fā)展(德國(guó)FhG-ISE研制的40μm單晶硅電池效率達(dá)到20%)，有關(guān)研究表明多晶硅片由于晶界的脆弱易碎，極限厚度最小可到100μm。薄硅片可以有效實(shí)現(xiàn)成本降低，這就要求硅片切割企業(yè)在實(shí)現(xiàn)技術(shù)創(chuàng)新的同時(shí)，還需要求其下游的電池片和組件環(huán)節(jié)提升技術(shù)工藝，否則加工過(guò)程中容易出現(xiàn)易碎的現(xiàn)象，反而造成了材料的浪費(fèi)和成本上升。