而尖峰較多的表面會比一般平整的ITO上制作的器件更容易集中注入空穴，所以表面形態(tài)和OLED器件的漏電流有著直接的聯(lián)系。因?yàn)?a class="contentlabel" href="http://www.biyoush.com/news/listbylabel/label/ITO">ITO表面的粗糙引尖峰會成為漏電流的途徑。存在的異物等突起，會使這些部位電流密度增高，漏電流加大，功耗增加，嚴(yán)重時(shí)造成局部短路，產(chǎn)生黑點(diǎn)，結(jié)果是顯示器的發(fā)光效率降低、壽命縮短，甚至因出現(xiàn)嚴(yán)重黑點(diǎn)而報(bào)廢。

　　對于ITO的規(guī)格比較統(tǒng)一標(biāo)準(zhǔn)是10mm×10mm正方形面積內(nèi)的AFM測得的平均粗糙度Ra≤1~3nm、Rp-v≤10~30nm。這樣的要求高于普通STN的ITO基板， LCD用CF的ITO表面沒有提過如此嚴(yán)格的要求，因?yàn)槠淝昂箅姌O距離有6000nm之多，幾十nm的Spike(突起)與之相比可以忽略。OLED器件會由于ITO基板表面的粗糙引起的器件像素區(qū)域出現(xiàn)黑點(diǎn)，漏電流過大，壽命較短等一系列的問題。

　　結(jié)論

　　對于將CF應(yīng)用于OLED全彩化顯示的技術(shù)，目前還有很多課題需要解決。如何解決CF表面的粗糙度，以及阻隔ITO層下面的有機(jī)層上水氣方面，目前業(yè)內(nèi)還沒有滿意的解決方案。以上這些ITO薄膜的粗糙不平屬于納米級別的不平問題，灰塵和針孔等缺陷引起的凸凹不平將引起更嚴(yán)重的問題，屬于微米級別的不平問題，所以必須嚴(yán)格控制各種灰塵和針眼等缺陷。因此，對于OLED的材料開發(fā)也提出了新的課題，同時(shí)也需要對OLED的器件結(jié)構(gòu)的改進(jìn)。

　　參考文獻(xiàn)：

　　[1] Tang C W. Van Slyke[J]. Appl. Phys. Lett.,1987,51,913-915

　　[2]李文連.有機(jī)EL產(chǎn)業(yè)發(fā)展的最新動態(tài)[J].液晶與顯示，2001,16(3):77

　　[3] Kido J, Kimura M,Nagai K. Multilayer White-Light-Emitting Organic Electroluminescent Device[J].Science, 1995(267):1332-1334

　　[4] 應(yīng)根裕，胡文波，邱勇.平板顯示技術(shù)[M].北京:人民郵電出版社, 2002:357-359

　　[5] Nirai Y. Color filter for TFT- LCDS [J].Nippon Insatsu Gakkaishi,1996,33(3):150-154

　　[6] Sabnis R W. Colour filter technology for liquid crystal displays [J]. Displays, 1999, 20: 119-129

　　[7] 陳金鑫, 黃孝文. OLED有機(jī)電激發(fā)光材料與組件[M].臺北：五南出版社, 2005