R8C/1B單片機(jī)的Flash編程/擦除掛起功能
相關(guān)的寄存器
本文引用地址:http://www.biyoush.com/article/96982.htm與Flash編程/擦除掛起相關(guān)的寄存器是閃存控制寄存器4(FMR4),F(xiàn)MR4有6個(gè)位均與編程/擦除掛起功能相關(guān),請參見表2。
![表2閃存控制寄存器4](http://editerupload.eepw.com.cn/200908/5dae6d27f1ab04c88b6263594e0d2b9b.jpg)
EW0模式的擦除掛起設(shè)定
對于EW0模式轉(zhuǎn)移到擦除掛起時(shí),首先需要將FMR40位置“1”(允許掛起)、FMR41位置“1”(請求擦除掛起),然后延遲一段時(shí)間(97μs+CPU時(shí)鐘周期×6),在確認(rèn)FMR46位為“1”(允許讀)后才能對用戶ROM區(qū)進(jìn)行存取。如果將FMR41位置“0”(重新啟動(dòng)擦除),就重新開始自動(dòng)擦除。設(shè)定過程如圖3所示。注意,在EW0模式,請將所使用中斷的中斷向量表和中斷程序存儲(chǔ)在RAM區(qū)中。
EW1模式的擦除掛起設(shè)定
![圖3EW0模式的擦除掛起設(shè)定](http://editerupload.eepw.com.cn/200908/df1698b7b63701259acddda78e202f57.jpg)
對于EW1模式,首先需要將擦除掛起功能設(shè)定為有效,即將FMR40位置“1”(允許掛起),并預(yù)先將需要響應(yīng)的可屏蔽中斷設(shè)定為中斷允許狀態(tài)。這樣在執(zhí)行塊擦除命令后,如果該中斷產(chǎn)生,經(jīng)過一段時(shí)間延遲后(電氣特性推薦值為:97μs+CPU時(shí)鐘周期×6),就能執(zhí)行擦除掛起,并接受中斷請求。如果發(fā)生中斷請求,F(xiàn)MR41位就自動(dòng)變?yōu)?ldquo;1”,執(zhí)行擦除掛起。在結(jié)束中斷處理后,如果自動(dòng)擦除還沒有結(jié)束(FMR00位為“0”),就必須將FMR41位置“0”,重新開始自動(dòng)擦除。設(shè)定過程如圖4所示。
評(píng)論