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            Fairchild推出雙MOSFET解決方案FDMC8200

            作者: 時間:2009-07-08 來源:電子產(chǎn)品世界 收藏

              飛兆半導(dǎo)體公司 ( Semiconductor) 為設(shè)計人員帶來業(yè)界領(lǐng)先的雙解決方案,可為筆記本電腦、上網(wǎng)本、服務(wù)器、電信和其它 DC-DC 設(shè)計提供更高的效率和功率密度。該器件在3mm x 3mm MLP模塊中集成了經(jīng)優(yōu)化的控制 (高側(cè)) 和同步 (低側(cè)) 30V N溝道,二者均使用的專用先進(jìn)高性能® 7 技術(shù),提供出色的低RDS(ON)、總體柵極電荷(QG)和米勒電荷 (QGD),這些性能最大限度地減少傳導(dǎo)和開關(guān)損耗,帶來更高效率。高側(cè)RDS(ON) 通常為24mOhm,低側(cè)則為9.5mOhm,可提供9A以上電流供主流計算應(yīng)用,而經(jīng)優(yōu)化的引腳輸出和占位面積,為布局和路由帶來便利,并簡化設(shè)計。

            本文引用地址:http://www.biyoush.com/article/96055.htm

              通過先進(jìn)的封裝技術(shù)和專有 7工藝,節(jié)省空間并提升熱性能,解決DC-DC應(yīng)用的主要設(shè)計難題。采用緊湊型高熱效3mm x 3mm Power33 MLP封裝和 7技術(shù),其本身能夠提供高功率密度、高功率效率和出色的熱性能。

              這款雙MOSFET器件是飛兆半導(dǎo)體廣泛的先進(jìn)MOSFET技術(shù)產(chǎn)品系列的一部分,全系列均擁有廣闊的擊穿電壓范圍和現(xiàn)代化的封裝技術(shù),實現(xiàn)高效的功率管理和低熱阻的特點。同系列其它產(chǎn)品包括集成了FET模塊的FDMS9600S 和FDMS9620S器件,同樣能夠顯著減少電路板空間,并提升同步降壓設(shè)計以達(dá)到更高的轉(zhuǎn)換效率。



            關(guān)鍵詞: Fairchild MOSFET PowerTrench FDMC8200

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