MOSFET滿足新能效目標(biāo)

　　電腦產(chǎn)業(yè)拯救氣候行動計劃(Climate Savers)發(fā)起的80PLUS Gold金牌認(rèn)證規(guī)定的新能效目標(biāo)(圖1)，要求在美國能源之星計劃當(dāng)前的要求基礎(chǔ)上，再使計算機(jī)的能效提高約10%。英飛凌(Infineon)為此大力改進(jìn)其MOSFET。6月中旬，在深圳舉行的第十五屆中國國際電源展覽會暨第十三屆中國變頻器及電子變壓器展覽會上，英飛凌推出了多款MOSFET，包括全球首發(fā)高端功率晶體管CoolMOS C6，還有中低端的OptiMOS 3家族的75V產(chǎn)品。

　　CoolMOS C6凌空出世

　　高性能MOSFET 600V CoolMOS C6系列可使諸如PFC(功率因數(shù)校正)級或PWM(脈寬調(diào)制)級等能源轉(zhuǎn)換產(chǎn)品的能源效率大幅提升。C6融合了現(xiàn)代超結(jié)結(jié)構(gòu)及包括超低單位面積導(dǎo)通電阻(例如采用TO-220封裝，電阻僅為99mΩ)在內(nèi)的補償器件的優(yōu)勢，同時具有更低的電容開關(guān)損耗、更簡單的開關(guān)控制特性和更結(jié)實耐用的增強(qiáng)型體二極管。

　　C6系列是英飛凌推出的第五代CoolMOS。英飛凌在CoolMOS C3(第三代)和CoolMOS CP(第四代)的基礎(chǔ)上，進(jìn)一步提高了開關(guān)速度并降低了導(dǎo)通電阻。C3目前是該公司應(yīng)用廣泛的產(chǎn)品系列，但是C3價格進(jìn)一步下降的空間有限，C6以更高的性價比可替代C3，英飛凌同時也認(rèn)為C6更適合對價格比較敏感的中國市場，因此把C6的首發(fā)地選在中國。不過，CP系列由于開關(guān)損耗更低，仍將在市場上長期存在。

　　繼承了前代產(chǎn)品的易用性和高能效特性，加上更高的輕載效率，將使CoolMOS C6系列成為硬開關(guān)應(yīng)用的基準(zhǔn)。另一方面，存儲在輸出電容中的極低電能和出類拔萃的硬換流耐受性，使該器件成為諧振開關(guān)產(chǎn)品的較好選擇。

　　C6器件可降低設(shè)計難度，非常適合于各種高能效應(yīng)用，例如面向PC、筆記本電腦、上網(wǎng)本或手機(jī)、照明(高壓氣體放電燈)產(chǎn)品以及電視機(jī)和游戲機(jī)等消費電子產(chǎn)品的電源或適配器。

　　CoolMOS誕生于上世紀(jì)90年代，是業(yè)界高性能MOSFET的先驅(qū)，以大批量生產(chǎn)和高可靠性引領(lǐng)潮流。

　　75V豐富OptiMOS 3產(chǎn)品線

　　OptiMOS 3 75V功率MOSFET系列具備領(lǐng)先的導(dǎo)通電阻(RDS(on))和品質(zhì)因素(FOM, Qg * RDS(on))特性，可在任何負(fù)載條件下，降低開關(guān)電源、電機(jī)控制和快速開關(guān)D類功放等電源產(chǎn)品的功率損耗并改善其整體能效。

　　OptiMOS 3 75V功率MOSFET系列是交/直流開關(guān)模式電源(例如臺式機(jī)和服務(wù)器裝備的電源)的同步整流選擇。英飛凌此次新推出的OptiMOS 3 75V功率MOSFET可以幫助滿足80PLUS Gold金牌認(rèn)證規(guī)范。它采用節(jié)省空間的SuperSO8封裝，相對于同類器件而言，導(dǎo)通電阻和品質(zhì)因素分別降低40%和34%，結(jié)果可使SMPS的同步整流級的功耗降低高達(dá)10%。

　　OptiMOS 3 75V系列進(jìn)一步壯大了英飛凌功率MOSFET產(chǎn)品的陣營。目前，采用英飛凌N溝道OptiMOS 3工藝制造的器件型號已接近100個，每款都具備業(yè)界很低的導(dǎo)通電阻和柵極電荷，可降低產(chǎn)品的導(dǎo)通損耗和整體功耗。