未來(lái)推動(dòng)芯片尺寸微縮的五種技術(shù)
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IC尺寸微縮仍面臨挑戰(zhàn)。
本文引用地址：http://www.biyoush.com/article/95909.htm為了使芯片微縮，總是利用光刻技術(shù)來(lái)推動(dòng)。然而近期Sematech在一次演講中列舉了可維持摩爾定律的其他一些技術(shù)。
1. 零低k界面：在目前Intel的45nm設(shè)計(jì)中，采用硅襯底和高k金屬柵。在硅與高k材料之間有低k材料。對(duì)于零低k界面，免去了低k材料，提高驅(qū)動(dòng)電流并減少漏電。這是16nm節(jié)點(diǎn)的一種選擇。
2. 單金屬柵堆疊：與傳統(tǒng)晶體管相比，高k金屬柵利用了單金屬柵堆疊結(jié)構(gòu)，這改善了晶體管性能，且降低了器件功耗。
3. III-V族材料上柵堆疊：Intel、Sematech等已在討論在未來(lái)設(shè)計(jì)中采用InGaAs/高k界面。這種方法也能改善性能降低功耗。
4. 量子阱MOSFET：在硅上采用硅鍺結(jié)構(gòu)是改善性能的一種方法。Intel近期展示了一款高速低功耗量子阱場(chǎng)效應(yīng)晶體管。這種P溝道結(jié)構(gòu)將基于40nm InSb材料。
5. 基于通孔硅技術(shù)的3D芯片：Sematech近期透露了建立基于通孔硅技術(shù)的300mm 3D芯片研發(fā)計(jì)劃。
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