目前大多數(shù)存儲芯片處于30nm制程，而邏輯電路更是在42nm制程徘徊。而東芝已經(jīng)宣布他們在制程提升上取得了突破，他們已經(jīng)可以制造出16nm甚至更低制程的場效應管。突破的關鍵是他們使用了鍺代替現(xiàn)在流行的硅，鍺一直以來都被認為有潛力制造更小的設備，但是它也比硅存在更多的問題，難于控制。但是現(xiàn)在硅化合物的潛能已經(jīng)發(fā)掘殆盡，所以人們再一次將目光轉向了鍺。

　　東芝稱他們將會在下周在東京舉行的2009 VLSI座談會上詳細講解他們的成果。