2009中國LED顯示產業(yè)高峰論壇5月24日在“深圳光電顯示周”期間舉行。與此同時，為表彰和鼓勵優(yōu)秀企業(yè)和技術創(chuàng)新，首屆中國LED行業(yè)年度評選頒獎典禮同時舉行。

　　LED(發(fā)光二極管)產業(yè)是朝陽產業(yè)、綠色產業(yè)。LED顯示成為5月23日-26日“深圳光電顯示周”期間的最大亮點。在國際金融危機的背景下，眾多展會和論壇“冷場”或“縮水”，而24日的“2009中國LED顯示產業(yè)高峰論壇”卻吸引了500多位LED企業(yè)高層和專家出席。在多項利好政策和技術不斷成熟的有力推動下，LED各種應用，特別是照明及大尺寸背光應用均處于井噴式發(fā)展的前夜。國家半導體照明工程研發(fā)及產業(yè)聯(lián)盟秘書長吳玲在LED顯示產業(yè)高峰論壇上強調，在行業(yè)快速發(fā)展的同時，一定要正視問題，特別是專利、標準、創(chuàng)新體制等關鍵問題。從技術上看，我國LED外延、芯片，特別是襯底技術進步很快，有專家認為，在LED產業(yè)后續(xù)的發(fā)展中，外延、芯片和封裝進行技術上的集成創(chuàng)新成為產業(yè)可持續(xù)發(fā)展的大趨勢。

　　硅襯底技術已實現(xiàn)產業(yè)化

　　長期以來，LED襯底技術一直被日本日亞公司的藍寶石襯底和美國CREE公司的碳化硅襯底所壟斷。晶能光電(江西)有限公司是依托南昌大學發(fā)光材料與器件教育部工程研究中心，專門從事硅襯底GaN(氮化鎵)基LED外延材料與芯片生產的高科技企業(yè)。在“2009中國LED顯示產業(yè)高峰論壇”上，南昌大學教授、晶能光電董事長江風益做了主題演講，據(jù)介紹，硅襯底GaN基LED芯片所走的技術路線從根本上與日本、美國等少數(shù)發(fā)達國家的GaN基LED技術不同。目前市場上出售的其他公司生產的氮化鎵LED都是以藍寶石或碳化硅作為襯底，而晶能光電的產品為在第一代半導體材料硅襯底上制備GaN基LED芯片，晶能光電的技術路線具有原始創(chuàng)新性。目前，晶能光電也已經率先在全球實現(xiàn)了這一新產品的批量生產。“雖然目前我們產品的應用量還不是很大，但其優(yōu)勢已經顯現(xiàn)，未來發(fā)展空間還是很樂觀的。”江風益認為。

　　硅襯底技術是LED三大原創(chuàng)技術之一，具有完整的知識產權，已申請和獲得國際國內發(fā)明專利52項?？梢赃@樣認為，晶能光電已經打破了目前日本日亞公司壟斷藍寶石襯底和美國CREE公司壟斷碳化硅襯底半導體照明技術的局面，形成了藍寶石、碳化硅、硅襯底半導體照明技術方案三足鼎立的局面。

　　中國光學光電子行業(yè)協(xié)會光電器件分會秘書長、安徽穩(wěn)潤光電有限公司總裁陳和生介紹說，2008年國內以國產外延片制成的LED芯片總產銷量已達到300億PCS左右，其中超高亮度芯片約13。1瓦功率LED芯片方面，國內多家企業(yè)已在不同程度上取得產業(yè)化技術的突破，批量產品的發(fā)光效率已可達到每瓦50流明～70流明，在市場上具備一定的性價比競爭能力，并在自主知識產權方面也取得相當多的成績。

　　深圳雷曼光電科技有限公司總經理李漫鐵在接受記者采訪時表示，如果說在5年前我們的LED產品質量和功能，無論是芯片、器件、應用產品，與國外領先產品的差距達50%的話，現(xiàn)在這個差距平均已經縮短為10%至20%，部分產品還有超越。“在這種情況下，沒有必要再崇洋媚外選擇產品。是時候讓中國的LED企業(yè)做大做強了，這需要全行業(yè)和全社會的共識。”李漫鐵表示。

　　陳和生認為，從技術上講，LED外延、芯片，特別是襯底技術，國內進步是很快的，在未來產業(yè)發(fā)展中，外延、芯片和封裝進行技術上的集成創(chuàng)新成為產業(yè)可持續(xù)發(fā)展的大趨勢。

　　集成創(chuàng)新需產業(yè)鏈協(xié)同

　　2008年兩輪“337”事件對我國LED行業(yè)的發(fā)展敲響了警鐘。“當前，提高我國LED產品的國際競爭能力，發(fā)展完整的具有自主技術產權的系列技術是我們的當務之急，作為企業(yè)來說，雖然在加強自主研發(fā)的同時在知識產權保護方面采取一些外圍的自我保護措施有一定的可行性，但核心的工作還是需要從整個行業(yè)的高度來做。”陳和生認為。