近日，英特爾對外透露該公司旗下實驗室的全新研究結(jié)果，該項成果可使處理器減低所需功耗，未來的處理器耗電量甚至可以是當(dāng)今處理器的十分之一，而性能與體積不僅不會停止不前，還會大幅度的前進。而這項研究的對象則被英特爾稱之為“P Channel與N-Channel半導(dǎo)體組合協(xié)作”課題.

 

　　P Channel與N-Channel半導(dǎo)體組合協(xié)作技術(shù)的晶圓樣品

　　在英特爾最新的研究報告中透露了有關(guān)P-ChannelTransistor的資料，這是一種復(fù)合半導(dǎo)體，也稱為III-V物料，因為它就是硅晶體周期表的列于第四周期表中，據(jù)研究指出它擁有極高的效率及極低電阻的物理特征。而英特爾早前透露的采用III-V物料的N-ChannelTranistsor，同樣將會使用在處理器制程技術(shù)上。

　　據(jù)英特爾指出，當(dāng)P-ChannelTransistor及N-ChannelTransistor復(fù)合應(yīng)用后，所制造出的CMOS邏輯芯片比傳統(tǒng)物料可減低一半的電壓，而且功耗更可降低至口金只有十分之一。此研發(fā)創(chuàng)新技術(shù)將會應(yīng)用于未來一段時間內(nèi)的處理器量產(chǎn)工作。而該項技術(shù)帶來的好處則是顯而易見的：首先，該技術(shù)可將處理器效率進一

　　步提高;其次，容許更復(fù)雜的處理器內(nèi)核設(shè)計及減低了因功耗而出現(xiàn)的散熱問題;最后，采用該類處理器的筆記本機身體積還可進一步縮少。

　　當(dāng)前，英特爾已開始進行試驗上述半導(dǎo)體材料大量生產(chǎn)的可能性，希望可以在未來一至兩年內(nèi)將該項技術(shù)應(yīng)用于實際生產(chǎn)中。