全球功率半導體和管理方案領導廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出一系列新型 25V 及 30V N通道溝道 HEXFET 功率 MOSFET 。它們針對同步降壓轉換器和電池保護增強了轉換性能，適用于消費和網絡領域的計算應用。

　　新 MOSFET 系列采用了 IR 經過驗證的硅技術，可提供基準通態(tài)電阻 (RDS(on)) ，并且提高了轉換性能。新器件的低傳導損耗改善了滿載效率及熱性能，即使在輕負載條件下，低轉換損耗也有助于實現高效率。

　　IR 亞洲區(qū)銷售副總裁潘大偉表示：“這些新型 MOSFET 采用 Power QFN 封裝，可比 SO-8封裝提供更高的功率密度，同時保持相同的引腳排列配置。新型雙 SO-8 MOSFET 還可通過‘二合一’交換來減少元件數目，滿足不同應用的要求。”

　　單雙 N通道 MOSFET 現已開始供應。除了 D-PAK、I-PAK 和 SO-8 封裝之外，單個 N通道器件也可在高量產時實現優(yōu)化，采用 PQFN 5×6mm 和 3×3mm 封裝，而雙 N通道器件則采用 SO-8 封裝。新器件符合電子產品有害物質管制規(guī)定 (RoHS) ，可以不含鹵素。