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            Hynix成功研發(fā)世界最高性能移動DRAM

            作者: 時間:2009-04-30 來源:韓聯(lián)社 收藏

              韓聯(lián)社4月27日電稱,(海力士)半導(dǎo)體成功研發(fā)采用54技術(shù)的世界最高性能的1Gb移動低電雙倍速率(LPDDR2)動態(tài)隨機存儲器()產(chǎn)品。表示,該產(chǎn)品是世界上第一款可以在平均1.2伏的低電壓下實現(xiàn)1066Mbps超高速數(shù)據(jù)傳輸速度的移動,在工藝技術(shù)、電壓、速度方面具備世界最高性能。

            本文引用地址:http://www.biyoush.com/article/93961.htm

              據(jù)介紹,該產(chǎn)品可在平均1.2伏、最低1.14伏的低電壓下工作,接近于現(xiàn)有的1.8伏移動的50%,并且僅為PC DDR2產(chǎn)品的30%。這意味著,1秒內(nèi)下載5、6部普通長度的電影成為可能,堪稱世界最高水平的數(shù)據(jù)傳輸速度。

              韓聯(lián)社表示,該產(chǎn)品待機耗電量低,又具有很高的速度,適合超移動電腦(UMPC)、便攜式媒體播放器(PMP)、手機等移動互聯(lián)網(wǎng)設(shè)備、上網(wǎng)筆記本電腦、高性能智能手機等,還可提供符合相關(guān)產(chǎn)品的”單芯片解決方案”功能。

              計劃今年第三季度開始生產(chǎn)新產(chǎn)品,明年初推出40級LPDDR2產(chǎn)品,并在明年將其在移動LPDDR2市場的份額擴大30%以上。

              目前Hynix半導(dǎo)體是世界第二大DRAM制造商。



            關(guān)鍵詞: Hynix 納米 DRAM

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