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            FSI國際宣布將ViPR?全濕法去除技術(shù)擴(kuò)展到NAND存儲器制造

            —— 全濕法光刻膠剝離技術(shù)免除了灰化引發(fā)的器件損害
            作者: 時間:2009-03-26 來源:電子產(chǎn)品世界 收藏

              美國明尼阿波利斯(2009年3月24日)——全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體制造晶圓加工、清洗和表面處理設(shè)備供應(yīng)商國際有限公司(納斯達(dá)克:I)今日宣布:一家主要的制造商將 帶有獨(dú)特ViPR™全濕法無灰化清洗技術(shù)的ZETA®清洗系統(tǒng)擴(kuò)展到閃存生產(chǎn)中。許多器件制造商對采用FSI的ZETA ViPR技術(shù)在自對準(zhǔn)多晶硅化物形成過程所帶來的益處非常了解。該IC制造商就這一機(jī)臺在先進(jìn)的制造中可免除灰化引發(fā)損害的全濕法光刻膠去除能力進(jìn)行了評估??蛻魧χ圃爝^程中無灰化光刻膠剝離法、實(shí)現(xiàn)用一步工藝替代灰化-清洗兩步工藝的機(jī)臺能力給予肯定。除了減少缺陷外,用戶們還受益于通過一步工藝縮短了總的工廠生產(chǎn)流轉(zhuǎn)周期。

            本文引用地址:http://www.biyoush.com/article/92854.htm

              “ 技術(shù)持續(xù)引領(lǐng)器件尺寸縮化的步伐”FSI總裁兼首席執(zhí)行官Don Mitchell說道。“ZETA ViPR 擴(kuò)展到NAND制造,驗(yàn)證了先進(jìn)工藝中的全濕法去除的關(guān)鍵增值點(diǎn)——其價值只會隨著器件尺寸的不斷縮小而增加。我們?yōu)榭蛻籼峁┑倪@一種真正的差異化工藝是卓有成效的,它能夠?qū)崿F(xiàn)縮短生產(chǎn)周期、減少資本支出以及降低運(yùn)作成本。

              對ZETA ViPR技術(shù)不斷提高的認(rèn)可度,源自其在大多數(shù)光刻膠去除工序中免去灰化工藝和自對準(zhǔn)金屬硅化物工藝之后能有效去除殘留金屬的能力。對于光刻膠的去除, 除了最極端注入情況以外,ZETA ViPR工藝實(shí)現(xiàn)的獨(dú)有化學(xué)反應(yīng)都可以單獨(dú)通過濕法化學(xué)反應(yīng)完成光刻膠去除。ViPR技術(shù)的應(yīng)用不僅省去了灰化所需時間和成本,還免除了由灰化爐造成的損傷和摻雜劑/底材損耗。對于自對準(zhǔn)金屬硅化物工藝之后的金屬去除,ZETA ViPR工藝可有效去除未反應(yīng)的金屬,同時不損壞自對準(zhǔn)金屬硅化物。特別是通過與非常先進(jìn)的NiPt自對準(zhǔn)金屬硅化物工藝成功結(jié)合,可采用更低退火溫度來減少接面漏電,從而提高了工藝的良品率。



            關(guān)鍵詞: FSI NAND 存儲器

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