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            三星宣布投產(chǎn)40納米8Gb融合閃存芯片

            作者: 時間:2009-03-13 來源:電子產(chǎn)品世界 收藏
                    電子宣布,采用40nm工藝的Flex-OneNAND融合式閃存已經(jīng)投產(chǎn),容量也達(dá)到了8Gb。Flex-OneNAND是在2007年研發(fā)成功的一種新型閃存技術(shù),將單層SLC NAND和多層MLC NAND整合在了一塊硅片上,有利于減少PCB占用空間、降低傳送噪聲、最大化地提高性能和效率。

                    稱,通過采用40nm新工藝和8Gb大容量,F(xiàn)lex-OneNAND閃存的生產(chǎn)效率可比上一代60nm 4Gb提高最多180%。40nm Flex-OneNAND當(dāng)前主要面向智能手機(jī),不過三星認(rèn)為今年底就會走入全高清電視、網(wǎng)絡(luò)電視(IPTV)和其他高端應(yīng)用領(lǐng)域,而且隨著數(shù)據(jù)傳輸率的提高,會有越來越多的高端手機(jī)集成1GB乃至32GB嵌入式內(nèi)存。

            本文引用地址:http://www.biyoush.com/article/92342.htm


            關(guān)鍵詞: 三星 芯片

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