圖2 DrMOS模塊包含驅(qū)動器和功率MOSFETs?？刂齐娐泛洼敵黾壘哂歇?dú)立的地

　　Renesas Technology America公司的RZJ20602NP集成一個(gè)驅(qū)動器IC和高、低端功率MOSFET在56引腳QFN封裝中。這種第二代驅(qū)動器-MOSFET產(chǎn)品工作在高達(dá)2MHz開關(guān)頻率，其最大輸出電流為40A。工作在1MHz，VIN=12V，VOUT=1.3V時(shí)，最高效率接近87%。在25A輸出電流時(shí)，功耗只有4.4W。

　　NXP公司的NXP PIP212-12M也滿足DrMOS規(guī)范。它由高端(控制FET)、低端(同步FET)和FET驅(qū)動器組成。它可以用做降壓穩(wěn)壓器構(gòu)建單元，每相大于30A電流、工作頻率高達(dá)1MHz。

圖3 由4個(gè)Fair child FDMF 8704DrMOS模塊和1個(gè)分離的四相Intersil ISL8307A PWM控制器組成的簡化四相電壓穩(wěn)壓器電路

　　Semtech公司的SC2447是一款高頻率、雙相PWM降壓控制器，對于Philips和Renesas DrMOS是最佳的器件，適用于網(wǎng)絡(luò)系統(tǒng)電源。它采用固定頻率、連續(xù)導(dǎo)通峰電流模式的控制，具有良好的補(bǔ)償和快速瞬態(tài)響應(yīng)。它產(chǎn)生兩個(gè)獨(dú)立的180?異相、30A輸出。每個(gè)相具有單獨(dú)的閉環(huán)軟啟動和過載停機(jī)定時(shí)器。

　　Intersil公司的ISL6307A控制微處理器芯核電壓調(diào)整(圖3)。微處理器負(fù)載可產(chǎn)生非?？煅芈实呢?fù)載瞬態(tài)。ISL6307A具有寬帶控制環(huán)和高達(dá)12MHz的紋波頻率，能為瞬態(tài)提供最佳響應(yīng)。ISL6307A利用專利技術(shù)感測電流，來測量低端MOSFET導(dǎo)通期間跨接在低端MOSFET的RDS(ON)或輸出電感器dc電阻(DCR)上的電壓。電流感測器為精確電壓降、通道電流平衡和過流保護(hù)提供所需的信號。可編程內(nèi)部溫度補(bǔ)償功能補(bǔ)償電流感測元件的溫度系數(shù)。(京湘)