圖1顯示了三種基本的LED。電流感應(yīng)可通過測量電阻器兩端的電壓獲得，其中該電阻器應(yīng)與LED串聯(lián)。對(duì)該方法來說，重要的設(shè)計(jì)難題是如何驅(qū)動(dòng)MOSFET。從性價(jià)比的角度來說，推薦使用需要浮動(dòng)?xùn)艠O驅(qū)動(dòng)的N通道場效應(yīng)晶體管(FET)。這需要一個(gè)驅(qū)動(dòng)變壓器或浮動(dòng)驅(qū)動(dòng)電路(其可用于維持內(nèi)部電壓高于輸入電壓)。

　　圖1還顯示了備選的降壓穩(wěn)壓器(buck#2)。在此電路中，MOSFET對(duì)接地進(jìn)行驅(qū)動(dòng)，從而大大降低了驅(qū)動(dòng)電路要求。該電路可選擇通過監(jiān)測FET電流或與LED串聯(lián)的電流感應(yīng)電阻來感應(yīng)LED電流。后者需要一個(gè)電平移位電路來獲得電源接地的信息，但這會(huì)使簡單的設(shè)計(jì)復(fù)雜化。另外，圖1中還顯示了一個(gè)升壓轉(zhuǎn)換器，該轉(zhuǎn)換器可在輸出電壓總是大于輸入電壓時(shí)使用。由于MOSFET對(duì)接地進(jìn)行驅(qū)動(dòng)并且電流感應(yīng)電阻也采用接地參考，因此此類拓?fù)湓O(shè)計(jì)起來就很容易。該電路的一個(gè)不足之處是在短路期間，通過電感器的電流會(huì)毫無限制。您可以通過保險(xiǎn)絲或電子斷路器的形式來增加故障保護(hù)。此外，某些更為復(fù)雜的拓?fù)湟部商峁┐祟惐Ｗo(hù)。

　　圖1簡單的降壓和升壓型拓?fù)錇長ED供電

　　圖2顯示了兩款降壓-升壓型電路，該電路可在輸入電壓和輸出電壓相比時(shí)高時(shí)低時(shí)使用。兩者具有相同的折衷特性(其中折衷可在有關(guān)電流感應(yīng)電阻和柵極驅(qū)動(dòng)位置的兩個(gè)降壓型拓?fù)渲酗@現(xiàn))。圖2中的降壓-升壓型拓?fù)滹@示了一個(gè)接地參考的柵極驅(qū)動(dòng)。它需要一個(gè)電平移位的電流感應(yīng)信號(hào)，但是該反向降壓-升壓型電路具有一個(gè)接地參考的電流感應(yīng)和電平移位的柵極驅(qū)動(dòng)。如果控制IC與負(fù)輸出有關(guān)，并且電流感應(yīng)電阻和LED可交換，那么該反向降壓-升壓型電路就能以非常有用的方式進(jìn)行配置。適當(dāng)?shù)目刂艻C，就能直接測量輸出電流，并且MOSFET也可被直接驅(qū)動(dòng)。

　　圖2降壓-升壓型拓?fù)淇烧{(diào)節(jié)大于或小于Vout的輸入電壓

　　該降壓-升壓方法的一個(gè)缺陷是電流相當(dāng)高。例如，當(dāng)輸入和輸出電壓相同時(shí)，電感和電源開關(guān)電流則為輸出電流的兩倍。這會(huì)對(duì)效率和功耗產(chǎn)生負(fù)面的影響。在許多情況下，圖3中的“降壓或升壓型”拓?fù)鋵⒕徍瓦@些問題。在該電路中，降壓功率級(jí)之后是一個(gè)升壓。如果輸入電壓高于輸出電壓，則在升壓級(jí)剛好通電時(shí)，降壓級(jí)會(huì)進(jìn)行電壓調(diào)節(jié)。如果輸入電壓小于輸出電壓，則升壓級(jí)會(huì)進(jìn)行調(diào)節(jié)而降壓級(jí)則通電。通常要為升壓和降壓操作預(yù)留一些重疊，因此從一個(gè)模型轉(zhuǎn)到另一模型時(shí)就不存在靜帶。