圖1 用P溝MOSFET的一般電壓保護電路

　　另一種方法包含1個NPN晶體管，其集電極連接到電池上，發(fā)射極連接到下游電路。連接在晶體管基極和地之間的齊納二極管箝位基極電壓，因此調(diào)整發(fā)射極電壓(VBE)低于電壓V2。盡管此電路比MOSFET電路成本低，但效率低。此外，跨接在晶體管上的壓降增加了最小工作電池電壓，此電壓在冷曲軸期間是關(guān)鍵性的。

　　第3種可能的方案包含1個N溝MOSFET，用做阻塞元件。N溝MOSFET比P溝MOSFET便宜。然而，驅(qū)動?xùn)艠O的電路是比較復(fù)雜的，柵極上的電壓必須高于源極上的電壓。Maxim公司的MAX6398包含1個驅(qū)動外部N溝MOSFET的內(nèi)部電荷泵(圖2)。在負載卸載期間，當(dāng)VBAT高于設(shè)置限值時MOSFET完全關(guān)斷;只要VBAT保持大于設(shè)置電壓，它就一直保持關(guān)斷狀態(tài)。MAX6398控制N溝MOSFET來保護高性能電源防止來自汽車過壓。連接下游的MAX5073 2MHz兩輸出降壓變器減小了電路尺寸。保護器與低電壓/高頻電源相接合的方法與工作在顯著較低頻率的高壓變換器相比節(jié)省空間和成本。

　　圖2 N溝MOSFET開關(guān)用做阻塞器件