圖2 C1上電壓與觸發(fā)波形的關(guān)系

　　隔離可控硅觸發(fā)過程。振蕩器輸出信號Vtd加到MOC3023可控硅驅(qū)動器的LED，當流過LED的正向電流足夠大時，驅(qū)動器通導(dǎo)，在功率可控硅中產(chǎn)生一個柵電流，將它觸發(fā)至通導(dǎo)狀態(tài)，而一旦可控硅通導(dǎo)，即便驅(qū)動器加有正向電流，也要被迫進入關(guān)閉狀態(tài)。可控硅MT2柵電壓跌落至低于光耦合的閾值電壓以下，無法維持光耦合器通導(dǎo)。圖2表示可控硅端電壓V與柵觸發(fā)信號Vtd的關(guān)系。相位控制的最小負載功率，送給負載的平均功率受輸入到驅(qū)動器波形持續(xù)時間控制。相位延遲越長，通導(dǎo)角以致送給負載的功率越小。RF5、VR1與C1設(shè)定了最小負載功率，也能確保可控硅通導(dǎo)與驅(qū)動器關(guān)閉。圖1電路的最小通導(dǎo)角為12度。

　　圖3 可控硅工作波形

　　防誤觸發(fā)網(wǎng)絡(luò)。如果加至可控硅電壓的上升速率超過它的du/dt，可控硅可能會無意地通導(dǎo)。為了防止假觸發(fā)，在驅(qū)動器輸出處增加了一個防誤觸發(fā)網(wǎng)絡(luò)，它限定了最大的dv/dt值。防誤觸發(fā)網(wǎng)絡(luò)可按感性負載的功率因子來確定，并根據(jù)實際du/dt值進行修正。

　　du/dt=Vto/(R9*C2)

　　=180/(180*0.033)

　　=30.3V/?S

　　上式中，Vt0是瞬間電源線上電壓峰值，負載電感的存在使du/dt 值變差。電阻R8限制了電容通過驅(qū)動器放電的電流峰值：

　　R8=VPK/Imax

　　=180/1.2A

　　=150Ω(1/2W)

　　上式中，VPK是柵觸發(fā)所需的電壓，Imax是光耦合器能承受的最大浪涌電流。(東華)