反彈的原因是，產(chǎn)能收緊、價(jià)格上升、以及電子系統(tǒng)需求開始恢復(fù)。

        今年第一季度，預(yù)計(jì)DRAM市場(chǎng)收入環(huán)比減少5%，至42億美元。IC Insights預(yù)測(cè)隨后的三個(gè)季度中，季度收入將分別達(dá)到49億美元、59億美元和68億美元，環(huán)比增長(zhǎng)率分別為17%、21%和15%。

        第四季度DRAM銷售額預(yù)計(jì)將比第一季度增長(zhǎng)63%。

        然而，市場(chǎng)分析師強(qiáng)調(diào)盡管季度增長(zhǎng)強(qiáng)勁，但2009年DRAM市場(chǎng)依然較2008年減少12%。

        IC Insights預(yù)測(cè)今年DRAM市場(chǎng)將達(dá)223億美元，而2008年為252億美元。

        分析師指出，幾家DRAM廠商關(guān)閉了200mm工廠，奇夢(mèng)達(dá)破產(chǎn)，這些因素使得供應(yīng)量收緊。

價(jià)格至少將保持穩(wěn)定，可能出現(xiàn)暴漲。

        自今年來(lái)，某些廠商報(bào)出的512M和1G DRAM現(xiàn)貨價(jià)已上漲了40%。

        IC Insights指出，其他存儲(chǔ)芯片也將在2009年獲得類似的增長(zhǎng)，但漲幅沒有DRAM那樣大。例如，今年第四季度NAND flash市場(chǎng)收入預(yù)計(jì)將叫第一季度增長(zhǎng)16%。然而，2009年NAND flash市場(chǎng)較2008年縮小24%。