如果電容式麥克風(fēng)所產(chǎn)生的信號(hào)驅(qū)動(dòng)能力不夠，那么在對(duì)信號(hào)做進(jìn)一步處理之前需要一只緩沖器或放大器。按照傳統(tǒng)方法，一直使用一只簡(jiǎn)單的結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管(JFET)輸入放大器實(shí)現(xiàn)這種傳聲器的前置放大。隨著ECM微機(jī)械工藝的改進(jìn)，麥克風(fēng)體積越來越小，電容也不斷減小。由于標(biāo)準(zhǔn)的JFET放大器具有相當(dāng)大的輸入電容，對(duì)來自傳聲單元的信號(hào)造成顯著的衰耗，因此JFET放大器不再適合傳聲器的要求。

　　如今因CMOS制造工藝的改進(jìn)推動(dòng)了放大器電路的改進(jìn)。采用CMOS模擬和數(shù)字電路取代JFET放大器有很多好處。與傳統(tǒng)的JFET放大器相比，采用現(xiàn)代亞微米CMOS工藝實(shí)現(xiàn)的前置放大器有多種優(yōu)點(diǎn)：降低諧波失真，更容易增益設(shè)置，多功能模式，包括低功耗休眠模式，模數(shù)轉(zhuǎn)換功能，能使麥克風(fēng)直接輸出數(shù)字信號(hào)，極大地提高了聲音的質(zhì)量，

　　提高了抗干擾能力。

　　MEMS SMD-硅晶(SiSonic)貼片式麥克風(fēng)

　　SiSonic SMD硅晶貼片式麥克風(fēng)應(yīng)用了MEMS技術(shù)。一直以來，ECM的難題在于駐極體的能效在高溫中會(huì)降低，從而導(dǎo)致靈敏度的劣化。而硅晶麥克風(fēng)中內(nèi)置的CMOS電荷泵和MEMS則可完美的解決此難題，并使得產(chǎn)品能多次通過260℃無鉛自動(dòng)回焊爐。該種麥克風(fēng)，使用懸浮振膜構(gòu)造，即便焊接在基板上也能確保達(dá)到優(yōu)于ECM的耐振動(dòng)特性、12,000G跌落撞擊，甚至能通過相當(dāng)于半導(dǎo)體級(jí)別的信耐度測(cè)試。

　　全部硅晶麥克風(fēng)，高度為1.25mm，音孔位置在上面或是基板面(零高度)，還有強(qiáng)化對(duì)抗RF干擾的型號(hào)。這方面的新產(chǎn)品有，零高度Mini型及數(shù)字麥克風(fēng)。

　　標(biāo)準(zhǔn)SiSonic-SMD硅晶麥克風(fēng)(如樓氏公司產(chǎn)的SP0204、SPM0204型)原理示意圖示于圖2。

　　圖2 硅晶麥克風(fēng)原理示意圖

　　圖3為內(nèi)置放大器的SiSonic-SMD硅晶麥克風(fēng)

　　圖3 內(nèi)置放大器SiSonic-SMD硅晶麥克風(fēng)原理示意圖