新日本無線開發(fā)完成了設有旁通電路低噪聲放大器GaAs MMIC NJG1135MD7，并開始發(fā)放樣品。該產品最適用于帶有CMOS RF-IC※1的800MHz/1900MHz頻段CDMA模式手機。

　　近年來，為了降低手機成本，RF-IC的CMOS化在不斷地進步。以往的低噪聲放大器內置于RF-IC內，但是CMOS很難構成高性能的低噪聲放大器。所以有必要增加外部元件的低噪聲放大器。

　　因此，要通過CMOS工藝來降低成本，外部元件的高線形性的低噪聲放大器是必要的。NJG1135MD7就是能滿足這種要求的設有旁通電路低噪聲放大器。用于800MHz/1900MHz頻段的 CDMA模式手機終端。

　　NJG1135MD7是由低噪聲放大電路?旁通電路?控制用邏輯電路來構成的。使用高性能HJ FET工藝，實現了高線形性(IIP3 +10dBm typ.@ f=880MHz / IIP3 +8dBm typ.@ f=1960MHz)。

　　另外，為防止離基地局較近地區(qū)發(fā)生的強磁場輸入時所造成的放大器視失真，設置了不經過放大電路的旁通模式(Low gain模式)，并且讓內置的低噪聲放大電路處于待機狀態(tài)，從而實現了低耗電流化。

　　NJG1135MD7采用超小超薄EQFN14-D7(1.6x1.6x0.397mm typ.) 封裝，節(jié)省了裝載電路板的空間的同時，又符合了無鉛無鹵化物標準，為減輕環(huán)境負荷做出了貢獻。

　　具有高線形特性?低消耗電流?節(jié)省空間特點的NJG1135MD7，實現了800MHz/1900MHz頻段CDMA用無線電路部RF-IC的CMOS化，并為手機低價格作出了貢獻。

※1 無線頻段信號處理IC

NJG1135MD7具有以下特征，最適用于800MHz/1900MHz頻段的CDMA模式手機。

1、具有高線形性，實現了IIP3 +10dBm typ.@ f=880MHz / IIP3 +8dBm typ.@ f=1960MHz (High gain模式時)
2、High gain mode和Low gain mode可切換。
3、Low Gain模式時，實現了30μA(typ.)的低消耗電流。
4、采用小型封裝，為節(jié)省空間作出了貢獻。
5、內置保護元件，用HBM(Human Body Model)方法，實現了2000V以上的高ESD(Electrostatic Discharge)靜電耐壓

產品開發(fā)一覽


產品性能及特點概要

●低工作電壓+2.8V typ.
●低切換電壓     +1.8V min.
[high gain 模式]
●高輸入IP3+10dBm typ.@ f=880MHz
+8dBm typ.@ f=1960MHz
●高增益+16dB typ.@ f=880MHz / 1960MHz
●低噪聲指數1.4dB typ.@ f=880MHz / 1960MHz
[low gain 模式]
●低消耗電流30uA typ.
●高輸入IP3+19dBm typ.@ f=880MHz
+17dBm typ.@ f=1960MHz
●超小超薄封裝  EQFN14-D7  ( 1.6x1.6x0.397mm typ,無鉛無鹵化物)

生產計劃／樣品價格

　　新日本無線從2009年1月開始發(fā)放NJG1135MD7樣品，預計從2009年2月投產后月產30萬個。樣品價格為100日元。
以上