近日，應用材料公司宣布推出Aera2™ for Lithography系統(tǒng)。半導體制造商通過運用該系統(tǒng)的IntenCD™技術可以提升硅片的臨界尺寸一致性(CDU)超過20%，增加器件的良率并降低每片硅片的圖形曝光成本。此外，Aera2™ for Lithography系統(tǒng)可以延長光掩膜的壽命并提高整個光刻區(qū)域的生產力。

　　應用材料公司資深副總裁、硅系統(tǒng)事業(yè)部總經理Tom St. Dennis表示：“ 對于45nm及以下技術節(jié)點的臨界尺寸均勻性要求是非常高的，特別是對于雙圖形曝光（double patterning）工藝。并且至少一半的臨界尺寸的變化來自于光掩膜。通過在光刻區(qū)域中采用應用材料公司已被驗證的空間成像技術，我們正在幫助芯片制造商追蹤并修正光掩膜質量上的偏差，從而獲得更精準的圖形曝光，縮短光刻周期并延長光掩膜的可用性。”

　　這項新光刻應用的關鍵是Aera2 平臺的IntenCD技術，它能夠將整個光掩膜生成高精度、高清晰的臨界尺寸均勻性空間圖像。用IntenCD圖像代替基于硅片的測量結果，做出判斷的時間可以從兩天縮短到僅僅一個小時。并且由于消除了多次硅片處理步驟可能帶來的累積誤差，結果的準確性也得到了提高。更準確的均勻性數據使得先進的光刻掃描機可以對臨界尺寸的變化作出補償，大大提高硅片生產中的線寬精度，最終提高產品良率。

　　使用IntenCD技術定期檢查光掩膜可以大大延長其壽命，這是相當重要的優(yōu)點，特別是考慮到現(xiàn)在單個關鍵器件工藝層光掩膜的價值可能超過10萬美元。光掩膜的屬性在多次累積曝光以后會發(fā)生巨大的和非均勻的變化，霧狀缺陷生成和鍍膜退化引起臨界尺寸誤差。生產主管可以用預知計劃取代傳統(tǒng)的定期光掩膜修復，Aera2系統(tǒng)可以縮短光掩膜修復周期，提高其壽命和可用性。

　　為了優(yōu)化光刻周期，業(yè)界領先的Applied Tetra™ Reticle Clean光掩膜清潔系統(tǒng)也可以被使用到光刻區(qū)域中，這樣光掩膜就不必送到工廠外面去修復了。Aera2和Tetra Reticle Clean系統(tǒng)是應用材料公司強勁的已被驗證的光刻解決方案中的最新產品，它們將幫助客戶實現(xiàn)成本經濟的下一代器件的光刻應用。