IR推出溝道型HEXFET功率MOSFET系列
加入技術交流群
國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 宣布推出具有基準低通態(tài)電阻 (RDS (on)) 的溝道型HEXFET功率MOSFET系列。這些采用TO-247封裝的MOSFET適用于同步整流、動態(tài)ORing及包括高功率DC馬達、DC-AC轉換器及電動工具等工業(yè)應用。
本文引用地址：http://www.biyoush.com/article/89185.htm新MOSFET的通態(tài)電阻 (RDS (on)) 能效比同類產(chǎn)品高出達50%，無需工業(yè)應用中通常使用的大型及昂貴封裝，有助于節(jié)省總系統(tǒng)成本。此外，低RDS (on) 可降低導通損耗，并提升系統(tǒng)效率。
IR亞洲區(qū)銷售副總裁潘大偉表示：“這個系列的卓越RDS (on) 額定值，可讓設計人員避免使用大電流工業(yè)應用中，往往因散熱需要的大而昂貴的ISOTOP或小型BLOC封裝，使系統(tǒng)成本降低50%。”
全新N溝道MOSFET系列可提供40V至200V電壓，也符合工業(yè)級及MSL1要求。新MOSFET均不含鉛并符合電子產(chǎn)品有害物質限制 (RoHS) 指令。
評論