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            EEPW首頁 > EDA/PCB > 業(yè)界動(dòng)態(tài) > 中芯國(guó)際開發(fā)出0.11微米CIS工藝技術(shù)

            中芯國(guó)際開發(fā)出0.11微米CIS工藝技術(shù)

            作者: 時(shí)間:2008-10-24 來源:新浪科技 收藏

              北京時(shí)間10月23日消息,(NYSE: SMI)今日宣布成功開發(fā)0.11微米CMOS 圖像傳感器(CIS)工藝技術(shù),在此工藝下生產(chǎn)的 CIS 器件,其分辨率、暗光噪聲和相對(duì)照度都將得到增強(qiáng)。

            本文引用地址:http://www.biyoush.com/article/88949.htm

              在中國(guó)提供完整的 CIS 代工服務(wù),基于其豐富的領(lǐng)域經(jīng)驗(yàn),該0.11微米 CIS 技術(shù)能力可以為客戶提供除0.15,0.18微米以外領(lǐng)先的解決方案及有競(jìng)爭(zhēng)力的成本優(yōu)勢(shì)。該高度集成、高密度 CIS 解決方案,同時(shí)適用于鋁和銅后端金屬化工藝,可廣泛應(yīng)用于攝像手機(jī)、個(gè)人電腦、工業(yè)和安全市場(chǎng)等領(lǐng)域。在該技術(shù)領(lǐng)域已經(jīng)開始進(jìn)入試生產(chǎn)階段,未來幾個(gè)月后也將在其200和300毫米芯片生產(chǎn)線上實(shí)現(xiàn)商業(yè)化生產(chǎn)。

              中芯國(guó)際市場(chǎng)行銷中心副總裁歐陽雄表示,“利用優(yōu)化的工藝條件,我們可以成功減少暗噪聲,使其在弱光環(huán)境下實(shí)現(xiàn)性能,從而使我們的客戶能夠提供低成本、高性能的產(chǎn)品,有助于提升其競(jìng)爭(zhēng)力,協(xié)助他們?cè)趽碛芯薮鬂摿Φ?CIS 器件市場(chǎng)中取得領(lǐng)先地位。”



            關(guān)鍵詞: 中芯國(guó)際

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