日本的一個(gè)研究小組日前宣布，他們利用分子聚集并自然排布的現(xiàn)象，用高分子材料制成了寬度僅10納米的超微結(jié)構(gòu)，這種新技術(shù)有望大幅提高半導(dǎo)體的性能。

　　據(jù)日本媒體報(bào)道，日本京都大學(xué)和日立制作所的聯(lián)合研究小組對(duì)高分子膜覆蓋的基板進(jìn)行特殊處理，制成了這種超微結(jié)構(gòu)。如果在該結(jié)構(gòu)表面覆蓋氧化物，就可能使這種結(jié)構(gòu)具有半導(dǎo)體的性能。

　　據(jù)日本專家介紹，此前日本研究者利用半導(dǎo)體技術(shù)最小只能生產(chǎn)寬度為65納米的超微結(jié)構(gòu)，如果上述新技術(shù)達(dá)到實(shí)用水平并用于半導(dǎo)體生產(chǎn)，就可以使按單位面積計(jì)算的半導(dǎo)體超微結(jié)構(gòu)的密度達(dá)到原先的9倍，半導(dǎo)體的性能也會(huì)達(dá)到目前半導(dǎo)體產(chǎn)品的9倍。