新華網東京10月12日電 (記者 錢錚) 日本的一個研究小組日前宣布，他們利用分子聚集并自然排布的現(xiàn)象，用高分子材料制成了寬度僅10納米的超微結構，這種新技術有望大幅提高半導體的性能。

　　據日本媒體報道，日本京都大學和日立制作所的聯(lián)合研究小組對高分子膜覆蓋的基板進行特殊處理，制成了這種超微結構。如果在該結構表面覆蓋氧化物，就可能使這種結構具有半導體的性能。

　　據日本專家介紹，此前日本研究者利用半導體技術最小只能生產寬度為65納米的超微結構，如果上述新技術達到實用水平并用于半導體生產，就可以使按單位面積計算的半導體超微結構的密度達到原先的9倍，半導體的性能也會達到目前半導體產品的9倍。