功率半導體器件、芯片和模塊供應商無錫創(chuàng)立達科技有限公司日前宣布成功推出新一代微觸發(fā)單向可控硅TSE2P4M和TSE0405.這代產(chǎn)品采用全新的設計方法和工藝技術，大大改善了其開關性能和溫度特性。經(jīng)國內(nèi)主要摩托車電器裝備廠家使用實踐證明，該產(chǎn)品能夠克服上一代產(chǎn)品中存在的觸發(fā)電流不易控制、溫度特性差和開關速度低等弱點，有效提高點火器的點火能量及可靠性，其電性能已經(jīng)達到了國外同類產(chǎn)品的水平。2008年8月22日，公司將在重慶舉辦"2008摩托車電子應用技術創(chuàng)新研討會"，屆時該產(chǎn)品將在會上發(fā)布及展示。

　　在定義和設計新版TSE2P4M和TSE0405時，創(chuàng)立達科技對國內(nèi)外摩托車車用電子技術趨勢和摩托車用電器裝備制造廠商的相關芯片需求進行了深入而廣泛的調(diào)查。針對未來技術趨勢及多數(shù)整機廠和電裝廠的共性需求，制訂了新版TSE2P4M和TSE0405的三個核心設計和開發(fā)方針，即首先通過自主創(chuàng)新的技術，開發(fā)使電裝廠商能夠為整機廠商今后幾年的技術升級提供可持續(xù)支持的產(chǎn)品；第二，針對目前的主流應用實現(xiàn)標準化和兼容性，讓電裝廠商能夠快速通過整車廠復雜的認證并導入生產(chǎn)；第三，提供與國際同行相當、甚至更高的性能。

　　遵循以上核心設計原則和開發(fā)方針，公司投入大量的精力潛心研究，終于研制出新一代微觸發(fā)單向可控硅。新版TSE2P4M和TSE0405是利用短基區(qū)擴散層的次表面層形成G-K間較大的橫向擴散電阻RGK，當可控硅的門極和陰極間加電流IG時，在RGK上產(chǎn)生一個電壓降VR，只有當VR≥P-N結(jié)的門坎電壓VR時，可控硅才會觸發(fā)。這項新技術的實現(xiàn)，克服了目前市場上的微觸發(fā)單向可控硅溫度特性差、IGT離散性大、開關速度低、VTM大的弱點，有效提升性能，滿足了客戶的需求。

　　"在公司十年的創(chuàng)業(yè)歷程中，我國快速發(fā)展的摩托車產(chǎn)業(yè)使公司得到了快速的發(fā)展和壯大。為此，創(chuàng)立達人深深地感受到推動我國摩托車產(chǎn)業(yè)自主創(chuàng)新的社會責任。"創(chuàng)立達科技有限公司總經(jīng)理鄧小軍說，"面向未來，創(chuàng)立達科技將繼續(xù)積極與摩托車產(chǎn)業(yè)鏈上合作伙伴互動與協(xié)作，為我國摩托車產(chǎn)業(yè)建立自主知識產(chǎn)權、推動我國摩托車產(chǎn)業(yè)由勞動密集型轉(zhuǎn)向技術密集型做出自己的貢獻。"

　　2008年正值創(chuàng)立達科技創(chuàng)業(yè)十周年，公司把十周年慶典改為在我國摩托車產(chǎn)業(yè)中心——重慶市的一場摩托車電子應用技術創(chuàng)新研討會。在推出新一代微觸發(fā)單向可控硅的同時，公司將邀請國家工業(yè)和信息化部相關司局領導、天津摩托車研究所的專家、領導和國內(nèi)整車與電裝領先企業(yè)等領導及研發(fā)人員參加。從目前的籌備情況來看，即將于8月22日舉辦的活動得到了與會各方的充分肯定和大力支持，屆時我國摩托車產(chǎn)業(yè)鏈上不同環(huán)節(jié)的合作伙伴將齊聚"2008摩托車電子應用技術創(chuàng)新研討會"，同時有關專家和領導將在會上做重要講話并與來賓共同研討。

　　"希望通過此次大會的召開，能更快更好地推動我國摩托車產(chǎn)業(yè)的發(fā)展，讓更多的人關注和加入到摩托車科技創(chuàng)新行列，為加速我國摩托車產(chǎn)業(yè)的發(fā)展貢獻自己的一份力量！"鄧小軍表示。

　　隨著新一代微觸發(fā)單向可控硅的推出，創(chuàng)立達科技還將繼續(xù)潛心研究下一代的技術和高科技產(chǎn)品，新的產(chǎn)品將在技術和應用上遵循繼續(xù)保持與市場需求及技術發(fā)展趨勢互動的開發(fā)方針。公司將力爭成為摩托車產(chǎn)業(yè)不同發(fā)展階段最重要的技術伙伴，同時積極努力把相關功率半導體技術擴展到汽車等更廣闊的應用領域。