億能推出新一代內(nèi)存產(chǎn)品DDR3 SO-DIMMs
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奇夢達公司旗下的渠道和零售內(nèi)存品牌億能(Aeneon)推出了新一代的內(nèi)存產(chǎn)品DDR3 SO-DIMMs（小型雙重內(nèi)嵌式內(nèi)存模塊）。該產(chǎn)品為業(yè)界首批基于英特爾迅馳2代處理器技術(shù)的DDR3筆記本電腦提供省電和高性能支撐。
本文引用地址：http://www.biyoush.com/article/86174.htm作為首批零售內(nèi)存品牌之一的億能內(nèi)存，將向市場提供容量為1GB和2GB 的 DDR3-1066 SO-DIMMs。這些模塊采用低耗電的1Gbit DDR3 組件，在1.5 伏標(biāo)準(zhǔn)DDR3電壓下提供7-7-7-21的時延， 非常適合于移動計算。DDR3 SO-DIMMs將于2008年8月以單一零售包的形式在全世界上市。
奇夢達渠道及零售業(yè)務(wù)部副總裁Carsten Gatzke博士表示，“我們很高興向市場推出DDR3內(nèi)存技術(shù)，使更多的用戶能夠體驗嶄新的英特爾迅馳2代技術(shù)。DDR3在幾年中將是主要內(nèi)存架構(gòu)形式。DDR3技術(shù)的采用，表明億能內(nèi)存致力于向零售市場提供多種高端的內(nèi)存產(chǎn)品。”
新的DDR3 模塊以及高密度的DDR2-800 SO-DIMMs是億能內(nèi)存專為新一代英特爾迅馳2平臺量身定做的零售DRAM解決方案的一部分。
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