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            能滿足消費和工業(yè)領域需求的IGBT 新模塊

            ——
            作者:C. Panzer,英飛凌 優(yōu)派克公司 時間:2005-09-04 來源:EDN電子設計技術 收藏
            能滿足消費工業(yè)領域需求的IGBT 新
             簡介
                  在消費產品中低功率驅動中,低成本,高可靠性的逆變器解決方案是產品的關鍵。面對日益增長的價格壓力,越來越多人加入到這個巨大的市場中,去尋找最佳的技術解決方案,其要求成本低而且能夠可靠的實現(xiàn)各種特定要求?,F(xiàn)在沒有廠商會生產劣質產品,這會導致從最終用戶那里召回產品,或徹底損害自己聲譽。所以空調,洗衣機,泵,風機,醫(yī)療系統(tǒng),伺服馬達,通用馬達,UPS等的逆變器驅動設計工程師一直在尋找高性能的IGBT,實現(xiàn)低成本的系統(tǒng)設計。
                   包括了6-PACK ( 內部為三相逆變器,帶溫度傳感器 ) 和 PIM ( 內部為單相或三相的輸入整流橋,三相逆變器,不帶制動單元和溫度傳感器 )。模塊采用600V和1200V系列的IGBT芯片, 在110-440V 輸入電壓范圍內, 其驅動的最大功率可以達到5,5kW 。通過引進新的600V IGBT3 技術(采用磁場終止技術的溝槽柵IGBT芯片) 和設計更多的模塊拓樸結構,相同封裝的模塊則可以用于高達15kW的馬達驅動。 和 EasyPIM模塊已經能滿足當今的各種需求。
              Easy系列模塊的概念
             
            圖1: EasyPIMTM / 模塊系列


                   不帶基板的EasyPACK 和 EasyPIM模塊是設計在雙面覆銅箔的陶瓷DCB上,能保證對散熱器2.5 kV的絕緣。為了滿足沒有銅基板模塊可靠裝配的一些特殊需求, eupec開發(fā)了一種夾子安裝方案用來裝配模塊。對比直接用螺絲固定,這種夾子安裝方案可以在模塊長期使用中保持優(yōu)良的模塊和散熱器的熱接觸,DCB上的安裝壓力不會很大,而且可以控制。
                   為了可靠的工作,優(yōu)化可靠的模塊和散熱器熱接觸是很重要的。由于卡子安裝方案可以最好的避免材料形變的影響(譬如模塊塑料封裝),模塊到散熱器的壓力可以在模塊使用中長期保持恒定,而在用螺絲直接通過模塊塑料封裝安裝的時候,幾個微米的移位就會導致安裝壓力損失。
                    另外,卡子安裝方案對使用過多的導熱脂或厚度不合適的導熱墊片不十分敏感。如圖2中描述的那樣,過剩的導熱脂會被壓出,當至少有DCB和散熱器的三點的直接接觸建立時安裝就到位了。
             
            圖2: 卡子安裝系統(tǒng)和安裝后的模塊


              不采用卡子安裝,就會出現(xiàn)以下的風險:
              - 如果導熱脂層厚薄不均,裝配時的巨大壓力就有可能導致DCB破碎。
              - 如果導熱脂太厚,模塊可能在正常安裝方法固定好后下沉,然而其結果卻會失去了安裝壓力。
              模塊安裝
                   EasyPACK, EasyPIMTM模塊的設計是過孔安裝,焊接在PCB板上。模塊通過一個或兩個夾子(由eupec認可和提供)安裝在散熱器上,卡子放在模塊封裝上就可以可靠卡在模塊上了。散熱器的安裝可以在模塊焊接到PCB之前或之后。卡子在安裝前的位置不論是在模塊頂部或底部不會超過模塊的垂直尺寸,所以模塊的焊接很容易就可以完成。模塊與散熱器的熱接觸是通過導熱脂或導熱墊片。
                   分兩步來緊固螺絲或重新緊固螺絲是沒有必要的,卡子經過了嚴格的質量檢驗,可以保證模塊使用中長期保持優(yōu)良的熱接觸。在焊接前用螺絲把模塊固定在PCB上同樣是沒有必要的。另外,焊接的引腳允許一定的壓力和上下位移。
              600V-IGBT3-技術
              目前600V模塊采用的是基于非穿透型 (NPT)技術的IGBT,生產出的晶元本身形成成批的IGBT。對比PT(穿透型)技術,NPT技術大大提高了芯片的強度,減小了開關損耗。NPT概念來自英飛凌,一種用來加工薄晶元的非常成熟的工藝。英飛凌(eupec的母公司)是一個領導全球科技的跨國公司,因此,雖然要采用薄晶元工藝,600VIGBT仍采用英飛凌在1200V和1700V第三代IGBT芯片 [1]上實現(xiàn)的磁場終止溝槽柵的技術。圖3所示為IGBT?和IGBT?的結構比較。
             
            圖3: IGBT結構比較

              
                    新一代600VIGBT技術的發(fā)展為消費類產品和工業(yè)驅動應用提供最優(yōu)化的解決方案。磁場終止層允許降低芯片厚度,減小存儲在IGBT內的電荷,這就使得有可能減小導通電壓和開關損耗。600V IGBT3 芯片的強度和抗短路能力,完全滿足工業(yè)應用的需求。
                    總而言之,磁場終止技術結合了PT技術活性層薄的優(yōu)點以及NPT技術的后背表面受控良好的優(yōu)點,使得開關損耗降低和芯片強度提高。另外,允許最高結溫高,允許更高的極限工作條件。
                    eupec現(xiàn)在推出新的IGBT模塊,第一次使用了第三代的 600 V IGBT? 技術。這使得每種IGBT封裝的電流范圍更大,可以使用相同的設計平臺和相同的功率模塊尺寸設計更寬的功率范圍的產品,大大降低系統(tǒng)成本,因為可以避免采用大封裝來設計更大功率的產品,所必須重新設計新的散熱器,新的PCB等。
              擴展模塊范圍


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