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            EEPW首頁(yè) > 電源與新能源 > 設(shè)計(jì)應(yīng)用 > 新型CPU及微處理器低壓大電流可編程輸出電源設(shè)計(jì)

            新型CPU及微處理器低壓大電流可編程輸出電源設(shè)計(jì)

            作者:成小玲 時(shí)間:2008-05-08 來(lái)源:電源技術(shù)應(yīng)用 收藏

              O 引言

            本文引用地址:http://www.biyoush.com/article/82282.htm

              隨著現(xiàn)代電子產(chǎn)品,特別是便攜式電子產(chǎn)品在噪聲、干擾及功耗方面的要求不斷提高,許多新型、、MCU和DSP等系統(tǒng)核心器件的供電電壓要求越來(lái)越低,但為了能夠處理更多的接口和外設(shè)數(shù)據(jù)。其電流要求則相對(duì)增大。到2007年,PC機(jī)將要求DC/DC轉(zhuǎn)換器能在O.95V時(shí)提供高達(dá)200A的電流。為此,飛兆半導(dǎo)體公司開(kāi)發(fā)出以多個(gè)模塊組成的分布式電壓凋節(jié)模塊(VRM),其中每個(gè)模塊都能提供高達(dá)每相40A的電流,且效率超過(guò)80%。本文介紹的就是飛兆半導(dǎo)體公司為主電源設(shè)計(jì)推出的相同步補(bǔ)償式單輸出PWM控制器集成電路。該芯片可通過(guò)其自身攜帶的5位數(shù)模轉(zhuǎn)換器來(lái)對(duì)電路的輸出電壓進(jìn)行編程設(shè)置。其主PWM輸出電壓的設(shè)置范圍為O.925~2.0v,且可在電路的運(yùn)行過(guò)程中進(jìn)行設(shè)置。同時(shí),的效率很高,可在較寬的負(fù)載條件下獲得90%以上的轉(zhuǎn)換效率,即使在輕載時(shí),也可以達(dá)到80%以上的轉(zhuǎn)換效率。因此,適合用來(lái)設(shè)計(jì)為供電的低電壓、大電流、。

              1 FAN5240的主要特點(diǎn)和功能參數(shù)

              1.1 主要特點(diǎn)

              FAN5240芯片內(nèi)部具有精密電壓參考和一個(gè)特殊的綜合補(bǔ)償電路,因而可提供極好的靜態(tài)噪聲和主電壓動(dòng)態(tài)調(diào)節(jié)特性。此外,芯片內(nèi)部調(diào)節(jié)器采用特殊電路設(shè)計(jì),因而能夠平衡兩相電路以使其效率達(dá)到最佳。

              FAN5240在啟動(dòng)過(guò)程中可對(duì)電路的輸出電壓進(jìn)行監(jiān)控。該芯片帶有PGOOD引腳,當(dāng)電路軟啟動(dòng)完成且輸出電壓正常后,PGOOD腳將發(fā)出一個(gè)電源準(zhǔn)備好信號(hào)表明整個(gè)電路正常工作,其軟啟動(dòng)延遲時(shí)間可由PG00D引腳外一個(gè)外接電容器來(lái)決定。

              FAN5240內(nèi)部的過(guò)壓保護(hù)(OVP)電路可有效防止電路中低端MOSFET的輸出電壓超過(guò)設(shè)定值,而PWM控制器中的過(guò)流保護(hù)電路則可通過(guò)交替檢測(cè)低端MOSFET上的電壓降來(lái)對(duì)轉(zhuǎn)換器的負(fù)載情況實(shí)施監(jiān)控。過(guò)流門限可通過(guò)外部電阻來(lái)設(shè)置。如果需要更加精密的過(guò)流監(jiān)測(cè),可以通過(guò)選擇高精度的外部電流檢測(cè)電阻來(lái)實(shí)現(xiàn)。

              FAN5240的主要特點(diǎn)如下。

              具有0.925~2.000V的CPU主電源電壓輸出范圍;
              帶有±l%的精密過(guò)熱參考;
              可通過(guò)5位DAC來(lái)動(dòng)態(tài)設(shè)置輸出電壓;
              輸入電壓范圍寬達(dá)6~24V;
              電路中的兩個(gè)通道可交替開(kāi)關(guān)以使效率達(dá)到最佳;
              能有效減小輸出電容的尺寸;
              采用遠(yuǎn)程差分電壓檢測(cè)技術(shù);
              采用電壓前饋和平均電流模式控制技術(shù),可獲得極佳的動(dòng)態(tài)響應(yīng);
              具有動(dòng)態(tài)占空比箝位功能,可有效減小電感電流的增入;
              可用電流檢測(cè)電阻對(duì)低端MOSFFT上的電流進(jìn)行精密檢測(cè);
              具有過(guò)壓保護(hù)、過(guò)流保護(hù)和過(guò)熱關(guān)斷等失效保護(hù)功能;
              帶有器件使能、電源準(zhǔn)備好、電源準(zhǔn)備好延遲和強(qiáng)制PWM控制等功能;
              
              1.2 引腳功能

              FAN5240控制器共有28個(gè)引腳,如圖l所示。具有QSOP28和TSSP28兩種封裝形式,F(xiàn)AN5240的引腳功能如下。

                  

              腳l,27(LDRYV2,LDRYl)分別為兩個(gè)通道的低邊MOSFET驅(qū)動(dòng)輸入,應(yīng)分別連接到外部?jī)赏ǖ赖瓦匩溝道MOSFET的門極以進(jìn)行同步操作。同時(shí),該端與 MOSFET門極之間的連線應(yīng)越短越好。
              腳2,26(PGND2,PGNDl) 功率地,分別接兩個(gè)低端MOSFET的源極。
              腳3,25(BOOT2,BOOTl) 分別為兩個(gè)通道高邊MOSFET的片內(nèi)自舉。
              腳4,24(HDRV2,HDRVl) 分別為兩個(gè)通道的高邊MOSFET驅(qū)動(dòng)輸入,應(yīng)分別連接到外部?jī)赏ǖ赖母哌匩溝道MOSFET的門極。同時(shí),該端與MOSFET門極之間的連線也應(yīng)越短越好。
              腳5,23(SW2,SWl) 分別為兩個(gè)通道的開(kāi)關(guān)電壓輸出端口。應(yīng)分別接到兩個(gè)通道的高邊MOSFET管的源極和低邊MOSFET管漏極。
              腳6,22(ISNS2,ISNSl) 電流檢測(cè)輸入,用于檢測(cè)電路上低端MOSFET上或電流檢測(cè)電阻上的反饋電流。
              腳7~1l (VID4~VID0) 電壓識(shí)別碼輸入引腳,可通過(guò)TTL電平或集電極開(kāi)路輸入信號(hào)來(lái)對(duì)輸出電壓進(jìn)行編程。
              腳12(FPWM) 強(qiáng)制PWM模式,該腳為高電平時(shí),芯片將強(qiáng)制進(jìn)入同步操作模式;該腳為低電平時(shí),器件將進(jìn)入延遲模式。
              腳13(ILIM) 限流門限設(shè)置端,設(shè)計(jì)時(shí)可通過(guò)該端和地端的一個(gè)電阻來(lái)設(shè)置過(guò)流門限。
              腳14(EN) 芯片使能端,該腳開(kāi)路或上拉到VCC可使能芯片;另外,在電路鎖定失效時(shí),可通過(guò)觸發(fā)EN端來(lái)使器件復(fù)位。
              腳15(AGND) 模擬地,該端是整個(gè)器件的信號(hào)參考地端,電路中的所有電壓均以此腳零電平為參考。
              腳16(DELAY) 電源準(zhǔn)備好或過(guò)流保護(hù)延遲設(shè)定端,在該腳和地之間接一個(gè)電容可用來(lái)設(shè)定電源準(zhǔn)備好或過(guò)電流關(guān)斷延遲時(shí)間。
              腳17,18(VCORED.VCORE+) 主電壓輸出檢測(cè)端,可通過(guò)差分檢測(cè)這兩個(gè)端口的輸出電壓來(lái)實(shí)現(xiàn)電源好、災(zāi)壓和過(guò)壓保護(hù)的監(jiān)控與調(diào)節(jié)。設(shè)計(jì)時(shí)可在VCORE+端外串接一個(gè)電阻來(lái)設(shè)定輸出電壓的檢測(cè)壓降。
              腳19(PGOOD) 電源好標(biāo)志輸出,當(dāng)輸出主電壓在825mV以下時(shí),該腳輸出低電平;當(dāng)輸出主電壓上升到875mV以上后,PGOOD端由低電平到高電平的延遲時(shí)間完全由DELAY與地間的電容決定。
              腳20(SS) 軟啟動(dòng)引腳,通過(guò)該腳和地之間的一個(gè)外接電容可對(duì)軟啟動(dòng)速率進(jìn)行編程設(shè)置。
              腳21(VIN) 電池電壓輸入,用于片內(nèi)振蕩器輸入電壓瞬變時(shí)的快速補(bǔ)償。
              腳28(VCC) 器件電源端,當(dāng)該腳電壓上升到4.6V以上時(shí),器件啟動(dòng)操作;當(dāng)該腳電壓降到4.3V以下時(shí),器件關(guān)斷。
              
              FAN5240可以工作在兩種工作模式,其中第一種模式為固定頻率PWM模式,第二種模式是依賴于負(fù)載的可變頻率延遲模式。當(dāng)負(fù)載電流低于電路中濾波電感的峰值電流時(shí),電路將工作在可變頻率延遲模式;而當(dāng)濾波電感的電流恢復(fù)以后,電路又重新恢復(fù)到PWM工作模式。通過(guò)PWM模式到延遲模式的轉(zhuǎn)換可以在輕載時(shí)改善電路的轉(zhuǎn)換頻率并延長(zhǎng)電池的使用時(shí)間。

              1.3 主要參數(shù)

              電源工作電壓范圍(Vcc) 4.75~5.25V;
              輸入電壓范圍(VIN) 6~24V;
              VID高電平輸入電壓 >2.0V;
              VID低電平輸入電壓
              可編程輸出電壓范圍 0.925~2.000V;
              直流輸出電壓精度 ±l%
              工作頻率 300kHz;
              過(guò)壓保護(hù)延遲時(shí)間 2μs;
              電源準(zhǔn)備好延遲時(shí)間 12ms;
              環(huán)境工作溫度 -20℃~+85℃
              存儲(chǔ)溫度范圍 -65℃~+150℃;
              10秒焊接極限溫度 300℃;
              熱關(guān)斷溫度 150℃。
              
              1.4 輸出電壓的編程設(shè)置

              FAN5240是一個(gè)可為筆記本電腦中新型處理器提供低電壓、大電流輸出的2-相單輸出電源管理芯片。通過(guò)很少的外部連接,F(xiàn)AN5240便可對(duì)精密可編程同步轉(zhuǎn)換器進(jìn)行控制以驅(qū)動(dòng)外部N溝道功率MOSFFT。其輸出電壓可在O.925~2.000V之間通過(guò)VID0~VID4等5個(gè)引腳的不同邏輯組合進(jìn)行設(shè)置。當(dāng)輸出電壓被設(shè)置在0.925~1.300V之間時(shí),其設(shè)置步長(zhǎng)為25mV;而當(dāng)輸出電壓被設(shè)置在1.300~2.000V之間時(shí),其設(shè)置步長(zhǎng)為50mV。具體的設(shè)置方法如表l所列。

                   

              2 基于FAN5240的CPU電源電路

              圖2所示是用FAN5240組成的一個(gè)CPU主電源電路。圖2中,當(dāng)腳SS外的電容C11取0.1μF時(shí),電路的軟啟動(dòng)延遲時(shí)間為5.4ms;而當(dāng)DELAY與地之間的電容C10的值為22 nF時(shí),其PG00D端由低電平到高電平的延遲時(shí)間大約為12ms。表2所列是電路中各元器件的具體參數(shù)。下面,就該電路的幾個(gè)主要外圍元器件的具體選擇做具體說(shuō)明。

                  

                   

              2.1 功率MOSFET的選擇

              圖2中的功率MOSFET管應(yīng)滿足以下幾個(gè)方面。

              (1)具有較低的漏源導(dǎo)通阻抗,所選MOSFET的RDS(ON)應(yīng)至少小于10mΩ而且應(yīng)當(dāng)越低越好;

              (2)應(yīng)選擇溫度性能較好的器件封裝形式:

              (3)額定漏源電壓應(yīng)大于15V;

              (4)所選MOSFET應(yīng)具有較低的門電荷,特別在高頻工作狀態(tài)時(shí),更是如此。

              對(duì)于低邊MOSFET,選擇時(shí)首先應(yīng)當(dāng)考慮的是導(dǎo)通阻抗RDS(ON),原因是它的高邊占空比較小,而導(dǎo)通阻抗對(duì)低邊MOSFET的功耗影響較大,將影響電路的DC/DC轉(zhuǎn)換效率。對(duì)于圖2電路,由于需要其輸出的電流較大,因此電路中的每個(gè)通道都使用了兩個(gè)低邊MOSFFT。本設(shè)計(jì)中的S2~S3和S5~S6選擇的是飛兆公司的FDS6676S型MOSFET管,該MOSFET管的導(dǎo)通阻抗RDS(ON)為6mΩ。

              在選擇高邊MOSFET時(shí),其門電荷和導(dǎo)通阻抗同樣重要。因?yàn)楦哌匨OSFET的門電荷將影響轉(zhuǎn)換速度并進(jìn)而影響功耗。因此,應(yīng)當(dāng)綜合考慮器件的門電荷和導(dǎo)通阻抗。實(shí)際上,對(duì)于大電流輸出應(yīng)用,如果電路的開(kāi)關(guān)頻率較高,高邊MOSFET也可以使用兩個(gè)MOSFET來(lái)進(jìn)行設(shè)計(jì)。圖2電路中使用的是飛兆公司的一個(gè)FDS6694作為高邊MOSFET。

              2.2 電感的選擇

              該電路使用了兩個(gè)輸出電感,而且兩個(gè)輸出電感分別分布在阿個(gè)通道上。輸出電感的主要作用是降低輸出電壓紋波。但電感較大不但會(huì)增加系統(tǒng)成本,而且也會(huì)增加寶貴的線路板空間。另外,輸出電感的選擇還要考慮電路的開(kāi)關(guān)工作頻率、輸入電壓和輸出電壓。圖2所示電路,當(dāng)工作頻率為600kHz(每通道300kHz)、輸人電壓為20V、輸出電壓為1.5v時(shí),其輸出電感大約為1.6μH。

              2.3 限流電阻的設(shè)置

              圖2電路中限流電阻R4的設(shè)定應(yīng)同時(shí)考慮電路中的電流檢測(cè)電阻RSENSE、MOSFET的導(dǎo)通電阻RDS(ON)和電路的限流門限值等因素。如過(guò)希望將電路的限流門限值設(shè)定在大約42A的水平上,同時(shí)選擇的電流檢測(cè)電阻為1kΩ,那么,對(duì)于每通道3mΩ的MOSFET導(dǎo)通電阻RSD(ON),限流電阻R4的取值應(yīng)為56kΩ。其具體的計(jì)算公式如下。

              R4=7.2RSENSE/ILIMT RDS(ON)

              3 結(jié)語(yǔ)

              與以往的DC/DC轉(zhuǎn)換器相比,F(xiàn)AN5240的主要特點(diǎn)是其輸出電壓可以通過(guò)器件上的5位DAC進(jìn)行編程設(shè)置,而不是由電阻分壓器來(lái)設(shè)置。因此,F(xiàn)AN5240除具有輸出電壓精度高、輸出電流大等特點(diǎn)外,它還具有以往電阻分壓式DC/DC轉(zhuǎn)換器所具有的其它全部功能和特點(diǎn),因而可用來(lái)為新型低壓大電流沒(méi)計(jì)穩(wěn)定、可靠和高精度的電源系統(tǒng)。



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