聯(lián)合式電路保護(hù)有助于防止損壞DVB網(wǎng)絡(luò)設(shè)備(06-100)
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在電壓超過(guò)器件“轉(zhuǎn)折”所需的擊穿電壓時(shí)，將導(dǎo)致一個(gè)低阻抗路徑的形成，從而有效地對(duì)過(guò)電壓狀況進(jìn)行短路。器件將在流經(jīng)它的電流降低到其保持額定值以下前保持在這種低阻抗?fàn)顟B(tài)下。在過(guò)電壓事件發(fā)生后，器件將恢復(fù)成高阻值狀態(tài)，實(shí)現(xiàn)正常的系統(tǒng)運(yùn)行。
TSPD的設(shè)計(jì)和運(yùn)行
TSPD屬于雙向芯片器件。這種器件的4個(gè)對(duì)稱分層如圖7所示。在此“芯片”的橫截面圖上，其布置方式可以簡(jiǎn)化成對(duì)如圖8和圖9所 示的2個(gè)晶體管和一個(gè)P型電阻器的描述。在正常運(yùn)行中，電壓施加到兩個(gè)接線端的兩端。
隨著從正極至負(fù)極之間的電壓增加，PNP晶體管中發(fā)生的雪崩擊穿讓電流能夠通過(guò)。不斷增加的雪崩電流從正極通過(guò)PNP晶體管流動(dòng)，隨后通過(guò)P電阻器流到負(fù)極。P電阻器兩端的電壓對(duì)NPN晶體管施加讓其導(dǎo)通的偏壓。在NPN晶體管施加偏壓而導(dǎo)通后，PNP晶體管將迅速切換成導(dǎo)通狀態(tài)，導(dǎo)致器件出現(xiàn)“轉(zhuǎn)折”現(xiàn)象。由于PNP晶體管的集電極電流驅(qū)動(dòng)著NPN晶體管的基極，以及與此類似的NPN晶體管的集電極電流驅(qū)動(dòng)著PNP晶體管的基極，該器件處于閂鎖狀態(tài)下。在運(yùn)行過(guò)程中，在電壓超過(guò)規(guī)定的擊穿點(diǎn)時(shí)，該器件“轉(zhuǎn)折”成一個(gè)低阻抗的路徑，有效地對(duì)過(guò)電流狀態(tài)進(jìn)行短路。在流經(jīng)器件的電流降低到規(guī)定保持電流以下之前，此器件均保持在這種低阻抗?fàn)顟B(tài)下。在過(guò)電壓事件過(guò)去后，器件將復(fù)位至高阻抗?fàn)顟B(tài)，從而有可能恢復(fù)正常的系統(tǒng)運(yùn)行。
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