如圖1，2所示，MOSFET驅(qū)動(dòng)器(IC1)和RC電路構(gòu)成脈沖前沿觸發(fā)電路，它們一起對送來的采樣時(shí)鐘前沿鎖定，并為后級電路提供驅(qū)動(dòng)。IC1(MAX5048)輸出的5V脈沖施加到由兩個(gè)微型變壓器初級繞組構(gòu)成的2:1電感分壓網(wǎng)絡(luò)，而該分壓網(wǎng)絡(luò)中點(diǎn)被連接到超快速比較器(IC3)的反相輸入端。

　　假定此時(shí)DATA_IN上的數(shù)據(jù)為0(低電平)，則MOSFET處于斷開狀態(tài),因此T2次級開路。根據(jù)分壓電路，IC3反相端輸入脈沖幅度為2.5V，因此使得其內(nèi)部輸出低電平。同時(shí)，IC2的兩個(gè)門電路產(chǎn)生一個(gè)短脈沖送到比較器IC3(MAX913)的使能鎖存端把低電平狀態(tài)鎖存到比較器外部輸出端，因此得到與DATA_IN一樣的狀態(tài)。

　　相反，假定DATA_IN此刻為高電平，則MOSFET導(dǎo)通，使得RDSON為低阻狀態(tài)，結(jié)果導(dǎo)致IC3反相輸入端的脈沖幅度大大減小，低于其同相輸入端電壓，因此使能鎖存端脈沖使得比較器輸出高電平，再次得到與DATA_IN狀態(tài)一致的結(jié)果。

　　圖1中的變壓器T1，T2磁芯采用了很普通的鐵氧體磁珠(##2673000101)，3毫米長，直徑為3.3毫米，T1，T2初級，次級繞組都只有一匝。為了減小寄生電感，T2與MOSFET之間的連線應(yīng)該盡可能地短。因?yàn)樽儔浩鞯膿舸╇妷号c隔離壩采用的絕緣材料及PCB板材有關(guān), 例如,采用聚乙烯或聚亞酸胺絕緣材料，可使隔離壩承受數(shù)千伏特的電壓(變壓器的磁芯屬于導(dǎo)電體)。

　　如果仔細(xì)繞制變壓器,整個(gè)電路對外的電容大小主要由T2的匝間電容決定。當(dāng)采用上述磁芯，及24號聚乙烯絕緣漆包線,T2的匝間電容會(huì)小于0.2pF.其結(jié)果使得從采樣時(shí)鐘前沿到DATA_OUT(見圖2)延遲時(shí)間只有大約20ns。