功率開(kāi)關(guān)寄生電容用于磁芯去磁檢測(cè)(04-100)
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作者：安森美半導(dǎo)體 Francois LHERMITE
時(shí)間：2008-04-01
來(lái)源：電子產(chǎn)品世界
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施加到電容上的電壓源提供對(duì)電壓有負(fù)90°相移的電流。所以當(dāng)電流上升到零點(diǎn)時(shí)，電壓便對(duì)應(yīng)于其峰值。所述的Soxyless技術(shù)包含檢測(cè)正柵極電流的過(guò)零檢測(cè)器(ZCD)以確定“谷點(diǎn)”的出現(xiàn)。
本文將從SMPS初級(jí)側(cè)接地點(diǎn)流出的電流通過(guò)下部柵極驅(qū)動(dòng)器流向功率MOSFET柵極的方向定義為負(fù)。
在半導(dǎo)體技術(shù)中，驅(qū)動(dòng)并測(cè)量這樣的負(fù)電流并非易事。
功率MOS柵極上產(chǎn)生的電流與漏極電壓和電容之間的關(guān)系可表述成如下：
其中Zc為電容阻抗：
此柵極電流的大小取決于MOSFET、諧振頻率F和在平坦電壓末端漏極上的電壓擺幅(Vring)。
谷點(diǎn)發(fā)生在諧振周期的一半處：
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