較弱的EMI特征波形

　　控制正弦波(或接近正弦波)的變量所提供的頻譜分量總是比硬開關(guān)系統(tǒng)所提供的更窄。圖6和圖7描述了兩個工作在同一點上但采用不同開關(guān)技術(shù)的系統(tǒng)所呈現(xiàn)的傳導(dǎo)EMI特征波形。

　　由于MOSFET在漏極電平最低時重新啟動，因而此處不存在在開關(guān)閉合時放電的經(jīng)典COSS電容，而且極窄的峰值電流也已經(jīng)消失(當(dāng)其足夠大時，該峰值也往往會干擾電流檢測比較器，甚至存在LEB電路的情況下亦不可避免)。因此，當(dāng)開關(guān)模式電源(SMPS)需要在射頻部分附近工作時，尤其是在電視機(jī)底板應(yīng)用中，推薦采用準(zhǔn)方波轉(zhuǎn)換器。

　　檢測磁芯去磁事件

　　磁芯去磁檢測通常通過專用的輔助繞組來實現(xiàn)，其電壓波形直接與變壓器磁通相關(guān)：VAUX=dF/dt。取決于控制器設(shè)備，觀察到的信號的極性必須與其檢測電路相適應(yīng)。

　　圖8給出了采用反激和正激繞法的輔助繞組所發(fā)出的去磁信號的實例。

　　請注意，這種技術(shù)并非用來檢測磁芯去磁或谷點，而是檢測輔助電壓的過零點，即VDRAIN=VIN。為了檢測真正的谷點，檢測中必須增加一個延遲。實際上，是在此輔助信號和控制器的輸入引腳之間增加一個小的RC濾波器：除了確保在谷點處導(dǎo)通所需的延遲之外，它也可濾除對重新啟動控制器產(chǎn)生負(fù)面影響的漏感因素。

　　當(dāng)輔助繞組同時被用來對控制器供電時，正激類型將施加一個額外的限制，因為電源電壓和VIN成正比：控制器的電源電壓范圍必須足夠?qū)?，以適應(yīng)VAUX較大的變化。