意法半導(dǎo)體通過CMP為科研機(jī)構(gòu)和設(shè)計公司提供45納米互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體制造工藝
意法半導(dǎo)體和CMP (Circuits Multi Projects ®) 宣布,通過CMP提供的硅中介服務(wù),大學(xué)、科研院所和公司可以使用意法半導(dǎo)體的45納米互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體(CMOS)制造工藝進(jìn)行原型設(shè)計。這項消息在巴黎舉行的CMP用戶年會上發(fā)布,會中集結(jié)了采用CMP多項目晶片服務(wù)的大學(xué)院校、科研機(jī)構(gòu)或私營企業(yè)的代表。通過CMP的服務(wù),他們可以委托芯片廠商小批量制造幾十個到幾千個的先進(jìn)集成電路。
本文引用地址:http://www.biyoush.com/article/78657.htm45納米CMOS工藝的推出,是延續(xù)ST與CMP授權(quán)大學(xué)使用上一代65納米和90納米CMOS制造技術(shù)的成功合作。例如,目前已有100多家大學(xué)(歐洲大學(xué)占60%,美國和亞洲大學(xué)占40%)接受了ST的65納米體效應(yīng)互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體(Bulk CMOS)制造技術(shù)的設(shè)計規(guī)則和設(shè)計工具。在CMP年會上,ST和CMP還宣布,CMP提供給大學(xué)的制造技術(shù)組合中增加了ST的 CMOS 65納米絕緣層上硅(SOI)制造技術(shù)。同一芯片,如果設(shè)計在SOI襯底上,其性能遠(yuǎn)遠(yuǎn)高于且(或)功耗遠(yuǎn)遠(yuǎn)低于在大塊硅襯底上的設(shè)計。此外,SOI技術(shù)具有更高的抗輻射性,這使得它的應(yīng)用范圍更廣,例如,SOI技術(shù)更適合航天航空應(yīng)用。
據(jù)CMP總監(jiān)Bernard Courtois介紹,近幾年采用CMOS技術(shù)制造的產(chǎn)品的數(shù)量出現(xiàn)明顯增幅。例如,采用90納米CMOS設(shè)計的電路總數(shù)在2007年增幅接近100%,2007年總共有91個電路設(shè)計采用了90納米CMOS,2006年為57個,2005年為32個,大多數(shù)知名大學(xué)都準(zhǔn)備在設(shè)計項目中運(yùn)用65納米技術(shù)。
“這是一個非常令人興奮的項目,很好地反映了我們與教育界和研究團(tuán)體的密切關(guān)系。大學(xué)生和研究人員能夠使用最先進(jìn)的技術(shù)是非常重要的,通過與CMP合作,二十年來我們始終在為學(xué)術(shù)界提供最先進(jìn)的技術(shù),”意法半導(dǎo)體前工序技術(shù)制造部大學(xué)關(guān)系及外聯(lián)主管Patrick Cogez表示,“確保大學(xué)能夠使用我們最先進(jìn)的技術(shù),還有利于我們吸引最優(yōu)秀的青年工程師加盟ST,這是我們保持技術(shù)領(lǐng)導(dǎo)者的長遠(yuǎn)目標(biāo)的一部分。”
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