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            EEPW首頁 > 模擬技術(shù) > 設(shè)計應(yīng)用 > 采用雙采樣技術(shù)的高性能采樣保持電路

            采用雙采樣技術(shù)的高性能采樣保持電路

            ——
            作者: 時間:2008-01-10 來源: 收藏

              1 引 言

              隨著技術(shù)的發(fā)展,高速度高精度已成為流水線的設(shè)計目標(biāo),而采樣/保持電路作為流水線結(jié)構(gòu)的核心部分,他的性能決定了整個的性能。因此,設(shè)計一個高速高精度的采樣保持電路就顯得尤為重要。采樣保持電路的精度要求一般受限于運放的有限增益和開關(guān)電路引起的誤差。一方面,運放并非理想運放,他存在著增益誤差;另一方面由于采樣保持電路是一種開關(guān)電容電路的運用,他本身存在的開關(guān)電荷注入效應(yīng)[1]和時鐘潰通,以及開關(guān)導(dǎo)通電阻的非線性[2],都會影響采樣保持電路的精度。對于電荷注入效應(yīng)和時鐘潰通,一般可以采用底極板采樣技術(shù)[3],利用開關(guān)的導(dǎo)通時序,使電荷注入與輸入信號無關(guān),再通過全差分結(jié)構(gòu)來消除。本文采用柵壓自舉電路,在減小電荷注入效應(yīng)和時鐘潰通的同時消除了開關(guān)導(dǎo)通電阻的非線性,減小了信號失真,提高了電路精度。而對于采樣保持電路的速度,一般都要求設(shè)計具有高速的運算,但是當(dāng)運放的設(shè)計達到一定瓶頸時,就需對采樣保持電路做進一步的改進。本文采用了雙采樣的電路結(jié)構(gòu),即在同一個時鐘周期內(nèi)進行兩次采樣保持的建立,從而使采樣頻率在同等性能運算的條件成倍增加,減小了對運算的要求。

              2 雙采樣的采樣保持電路結(jié)構(gòu)

              CMOS采樣保持電路通常有電荷轉(zhuǎn)換結(jié)構(gòu)和電容翻轉(zhuǎn)結(jié)構(gòu)。電荷轉(zhuǎn)換結(jié)構(gòu)電路包含兩個電容,一個為采樣電容Cs,一個為保持電容Cf。在采樣相時鐘下,采樣電容上的電壓跟隨輸入信號變化,在采樣相結(jié)束,即采樣時刻到來時,采樣到的信號以電荷形式儲存于采樣電容Cs兩端;在保持相下,Cs儲存的電荷轉(zhuǎn)移到Cf上,令Cf與Cs相等,則穩(wěn)定時候運放輸出電壓即采集到電壓;另一種結(jié)構(gòu)即如圖1所示的電容翻轉(zhuǎn)采樣保持結(jié)構(gòu),在采樣時刻,電容C采集輸入信號量,在保持時刻電容C與輸出相接,輸出電壓為采樣時刻電壓,從而實現(xiàn)采樣保持。

              這兩種結(jié)構(gòu)比較,電荷轉(zhuǎn)換結(jié)構(gòu)有較大的共模輸入范圍,但是在功耗與噪聲方面,在同樣采樣頻率下,電容翻轉(zhuǎn)結(jié)構(gòu)的功耗是電荷轉(zhuǎn)換結(jié)構(gòu)的一半,且電荷轉(zhuǎn)換結(jié)構(gòu)的噪聲是電容翻轉(zhuǎn)結(jié)構(gòu)采樣保持的2倍。因此這里選擇了電容翻轉(zhuǎn)結(jié)構(gòu)。

              

            圖1所示的電容翻轉(zhuǎn)采樣保持結(jié)構(gòu),圖2采用雙采樣技術(shù)的采樣保持電路

              但是,這種采樣保持結(jié)構(gòu)在采樣周期時,保持電路空閑,在保持周期時,采樣電路空閑,一個時鐘周期內(nèi)電路只能對信號進行一次采集。若在此基礎(chǔ)上增加一個采樣電容,如圖2所示,兩個采樣電容交替工作。在電容Cs1采樣周期,輸出端保持電容Cs2的采樣信號;同樣,在輸出端保持電容Cs1的采樣信號時,電容Cs2進行采樣。兩個電容輪流工作,使在一個時鐘周期內(nèi),電路實現(xiàn)兩次采樣保持的建立過程。因此,在同樣性能的運放條件下,采樣頻率提高到了原來的2倍[4]。

              兩相時鐘進行采樣時,由于采樣間隔不均勻,采樣將會有一個間隔誤差,設(shè)采樣間隔誤差為△T,則兩個采樣相的序列分別為:

              

            兩個采樣相的序列
            {{分頁}}

              總輸出頻譜為:

              

            總輸出頻譜

              由于采樣間隔誤差的存在,使采樣信號將在n

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