Hittite Microwave發(fā)布兩款無(wú)源GaAs MESFET I/Q混頻器
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時(shí)間：2008-01-03
來(lái)源：電子產(chǎn)品世界
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Hittite Microwave公司日前發(fā)布兩款用于頻率范圍為3～7GHz的點(diǎn)對(duì)點(diǎn)無(wú)線電、WiMAX基礎(chǔ)設(shè)施、測(cè)試裝置和軍事應(yīng)用的無(wú)源GaAs MESFET I/Q混頻器。
HMC620LC4是一個(gè)可在3～7GHz頻率范圍內(nèi)提供32dB鏡像抑制、43dB LO至RF隔離度以及+22dBm穩(wěn)定輸入IP3性能的無(wú)源I/Q混頻器/IRM。這個(gè)經(jīng)過(guò)精心設(shè)計(jì)的雙平衡混頻器集成電路可確保出色的振幅和相位平衡，同時(shí)將變頻損耗限制在標(biāo)稱(chēng)值8dB。HMC620是一個(gè)工作頻率范圍相同的緊湊型芯片混頻器，可提供33dB的鏡像抑制、45dB的LO至RF隔離度以及+23dBm的輸入IP3性能。這兩款混頻器都具有DC～3.5GHz的出色中頻帶寬，可以用作鏡像抑制混頻器或單邊帶上變頻器。
HMC620LC4采用符合RoHS指令的4
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