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            MOS模擬集成電路
            
						
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				作者：
				時(shí)間：2007-12-29
				來(lái)源：電子元器件網(wǎng)
				
				
				
				
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			　　MOSFET與BJT相比,具有許多突出的優(yōu)點(diǎn)：MOSFET是電壓控制器件，輸入偏流很?。?/SPAN>10-12A以下），輸入電阻高(1012Ω以上)；MOSFET功耗小，集成度高，抗輻射能力強(qiáng)；MOS工藝簡(jiǎn)單，便于大規(guī)模集成。因此，自70年代以來(lái)，MOS模擬集成電路得到了迅速發(fā)展，各種功能的集成電路不斷涌現(xiàn)，其性能不斷提高。由MOSFET構(gòu)成的模擬集成電路，如運(yùn)放、電壓比較器、模擬開(kāi)關(guān)、定時(shí)器、開(kāi)關(guān)電容電路、乘法器、鎖相環(huán)路、頻率合成器、A/D與D/A轉(zhuǎn)換器、脈沖調(diào)制編碼/解碼器等已廣泛應(yīng)用于電子技術(shù)各個(gè)領(lǐng)域。尤其是采用MOS工藝可以使模擬信號(hào)處理技術(shù)與數(shù)字處理及計(jì)算機(jī)技術(shù)有機(jī)結(jié)合起來(lái)，融為一體，構(gòu)成模擬信號(hào)數(shù)字化的單片集成系統(tǒng)，促進(jìn)了通訊、圖像、聲音、雷達(dá)信號(hào)處理及其它技術(shù)領(lǐng)域的發(fā)展。
				
            
                
			
							
            
                
			              
              
            
            
		
            
		
            
		
            
		
            
		
            
			
              
				
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            關(guān)鍵詞：
            			            模擬集成電路
                        模擬IC
                        
            
            
            
			
            
		
            	
		

	

            
	
	
            
		
            
			
            評(píng)論
            					
		
            
		
            
			
            
			
				
            
					
					
            
						
                        
					
            
				
            
                		
						
						
			
            
		
            
		
            
		
            
            
			
            
		
            
	
            
	
            
	
            
		

            
	
            
		
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            技術(shù)專(zhuān)區(qū)
            
      
            
      
            
			
      
             
       

            

   










            
	
            
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