日本德州儀器耐壓30V的新模擬工藝技術(shù)將投入量產(chǎn)
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日本德州儀器（日本TI）日前就模擬IC量產(chǎn)中采用的新工藝技術(shù)“LBC7”召開了一場記者說明會。LBC7是一種能夠集成耐壓30V的LDMOS（laterally diffused MOS）的雙極CMOS技術(shù)，相當于現(xiàn)有雙極CMOS技術(shù)“LBC6”（可集成耐壓18V的LDMOS）的后續(xù)技術(shù)。今后，美國德州儀器公司（TI）將運用LBC7，在2005年下半年至2006年陸續(xù)投產(chǎn)最大耐壓達數(shù)10V的電源IC、硬盤等馬達驅(qū)動IC與伺服驅(qū)動IC，以及車用半導體產(chǎn)品等。LBC7的生產(chǎn)線位于日本茨城縣美浦工廠。
本文引用地址：http://www.biyoush.com/article/7573.htm與LBC6相比，LBC7對特性及制造技術(shù)等都進行了改進。首先，將LDMOS的導通電阻減小了15～20％。比如，Vdss為30V時導通電阻約為0.1mΩ
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