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            EEPW首頁 > 學(xué)習(xí)方法與實(shí)踐 > 功率MOSFET的保護(hù)

            功率MOSFET的保護(hù)

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            作者: 時(shí)間:2007-12-13 來源:電子元器件網(wǎng) 收藏

              的薄弱之處是柵極絕緣層易被擊穿損壞,柵源間電壓不得超過



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