世界功率管理技術(shù)領(lǐng)袖國際整流器公司（International Rectifier，簡稱IR）近日推出新型的DirectFET MOSFET同步降壓轉(zhuǎn)換器芯片組。新品適用于下一代采用Intel和AMD處理器的高端臺式電腦和服務(wù)器，以及先進(jìn)的電信和數(shù)據(jù)通信系統(tǒng)等高頻率、大電流的DC-DC轉(zhuǎn)換器應(yīng)用。

　　例如，電流為130A的五相轉(zhuǎn)換器如果采用最新的IRF6619 和IRF6633芯片組，可在一個緊湊的面積上實現(xiàn)85%的效率。

　　IR中國及香港銷售總監(jiān)嚴(yán)國富指出：“IRF6619 和IRF6633 芯片組能在處理器電源系統(tǒng)的每相位中取代四個標(biāo)準(zhǔn)的D-Pak MOSFET，可以減少一半的元件數(shù)量，并為每個相位減少一半以上的占板空間，有效壓縮工作站和服務(wù)器的體積?！?/P>

　　IRF6619是理想的同步MOSFET，器件的典型導(dǎo)通電阻極低，在10VGS下為1.65mΩ，在4.5VGS下則為2.2mΩ，而逆向恢復(fù)電荷可以低至22nC。該器件采用MX中罐D(zhuǎn)irectFET封裝，占板面積與SO-8封裝相同，高度只有0.7mm。

　　IRF6633的柵電荷極低，米勒電荷只有4nC，最適合作為控制用場效應(yīng)管。與市場上其他20VN器件相比，其導(dǎo)通電阻和柵電荷減少了43%以上。該器件的混合導(dǎo)通電阻與柵電荷性能效益指數(shù)為38 mΩ-nC。它采用MP中罐D(zhuǎn)irectFET封裝，占板面積與SO-8封裝相同，高度同樣只有0.7mm。

　　IR的DirectFET MOSFET封裝已獲得專利，它匯集了標(biāo)準(zhǔn)塑料分立封裝所不具備的一系列設(shè)計優(yōu)點。金屬罐構(gòu)造能發(fā)揮雙面冷卻功能，使得用以驅(qū)動先進(jìn)微處理器的高頻DC-DC降壓轉(zhuǎn)換器的電流處理能力增加一倍。

　　該芯片組的基本規(guī)格如下：

產(chǎn)品編號	封裝	功能	BVDSS (V)	10V下最大RDS(on) (mOhm)	4.5V下最大RDS(on) (mOhm)	VGS (V)	Tc=25 關(guān)鍵詞： IR 評論 我來說兩句…… 驗證碼： 相關(guān)推薦 上一篇：摩托羅拉增加在亞太地區(qū)的投資 下一篇：羅姆集團(tuán)全球制造基地落戶天津開發(fā)區(qū) 技術(shù)專區(qū) FPGA DSP MCU 示波器 步進(jìn)電機(jī) Zigbee LabVIEW Arduino RFID NFC STM32 Protel GPS MSP430 Multisim 濾波器 CAN總線 開關(guān)電源 單片機(jī) PCB USB ARM CPLD 連接器 MEMS CMOS MIPS EMC EDA ROM 陀螺儀 VHDL 比較器 Verilog 穩(wěn)壓電源 RAM AVR 傳感器 可控硅 IGBT 嵌入式開發(fā) 逆變器 Quartus RS-232 Cyclone 電位器 電機(jī)控制 藍(lán)牙 PLC PWM 汽車電子 轉(zhuǎn)換器 電源管理 信號放大器 關(guān)閉