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            EEPW首頁(yè) > 消費(fèi)電子 > 市場(chǎng)分析 > 功率模塊市場(chǎng)增長(zhǎng)率將進(jìn)一步提高

            功率模塊市場(chǎng)增長(zhǎng)率將進(jìn)一步提高

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            作者: 時(shí)間:2007-11-22 來(lái)源:中國(guó)電子報(bào) 收藏
              功率半導(dǎo)體應(yīng)用于汽車(chē)(混合動(dòng)力車(chē))的電力轉(zhuǎn)換部分、空調(diào)等家電產(chǎn)品的馬達(dá)控制部分。(集成了功率半導(dǎo)體)大型廠商三菱電機(jī)估算,僅日本生產(chǎn)的空調(diào),通過(guò)變頻控制獲得的節(jié)能總量就達(dá)1100000kW:相當(dāng)于一座標(biāo)準(zhǔn)核電站。

              在此之前,的全球市場(chǎng)規(guī)模一直以10%的年增長(zhǎng)率穩(wěn)步擴(kuò)大,隨著與環(huán)境問(wèn)題密切相關(guān)的節(jié)能意識(shí)的加強(qiáng),今后增長(zhǎng)率有望進(jìn)一步提高。在節(jié)能家電產(chǎn)品尚未普及的地區(qū),發(fā)展將尤為迅速。三菱電機(jī)表示:將在中長(zhǎng)期把海外銷(xiāo)售比例提高到50%。

              目前功率半導(dǎo)體的主流是使用硅材料的IGBT(絕緣柵雙極晶體管模塊)元件,IGBT元件的性能從198 5年開(kāi)始逐漸得到改善,目前已經(jīng)進(jìn)入了第5代。1~2年后問(wèn)世的第6代預(yù)計(jì)將成為硅元件的頂峰,其后將有待于耐壓能力為硅元件10倍、熱傳導(dǎo)率為硅元件3倍的SiC元件。但是在目前,用于替代硅IGBT元件的SiC元件還沒(méi)有實(shí)用化的計(jì)劃。這是因?yàn)槟壳斑€沒(méi)有廠商能夠以低成本提供低缺陷密度的SiC底板。


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