隨著越來越多半導(dǎo)體廠商的介入，45nm工藝技術(shù)持續(xù)升溫。特許半導(dǎo)體、IBM、英飛凌和三星四大半導(dǎo)體巨頭日前宣布，已聯(lián)手開發(fā)出基于低功耗45nm工藝的首款功能性芯片，并且將目標(biāo)瞄準(zhǔn)下一代通信系統(tǒng)。這四家公司早已就開發(fā)90nm、65nm和45nm工藝技術(shù)結(jié)成了最為醒目的聯(lián)盟。

    該款芯片由IBM位于紐約州East Fishkill的300mm晶圓廠生產(chǎn)。標(biāo)準(zhǔn)庫單元和I/O單元驗證模塊由英飛凌提供。

    據(jù)該聯(lián)盟成員表示，他們的45nm工藝在四家公司的各晶圓廠內(nèi)都相互兼容，而這種低功耗工藝預(yù)期會在2007年底前在特許半導(dǎo)體、IBM和三星的制造廠中完成安裝和認(rèn)證。

    駐地于East Fishkill的聯(lián)盟已就通用平臺晶圓代工技術(shù)模型進(jìn)行了數(shù)年合作，期間得到電子設(shè)計自動化、知識產(chǎn)權(quán)(IP)和設(shè)計服務(wù)業(yè)等眾多合作伙伴的支持。其目的就在于：使客戶能夠以最小限度的返工把他們設(shè)計的芯片外包給多家300mm晶圓廠來制造。

    “該芯片的推出意味著我們可以靈活使用45nm工藝，而這歸功于GDSII在多家制造廠的兼容。”聯(lián)盟小組主要成員兼IBM半導(dǎo)體研發(fā)副總裁Lisa Su指出，“我們的初期硬件測試結(jié)果顯示，45nm節(jié)點器件的性能至少比65nm要高出30%，產(chǎn)品開發(fā)人員可以放心采用這種工藝進(jìn)行設(shè)計。”

    英飛凌計劃在2009年初與聯(lián)盟其它成員同步推出基于45nm技術(shù)的芯片，并主要面向移動應(yīng)用，該公司董事會成員Hermann Eul告知。但Eul不愿披露該公司45nm戰(zhàn)略的細(xì)節(jié)。

    “根據(jù)未來的市場發(fā)展情況，英飛凌將在稍后決定自己的晶圓廠策略?！盓ul在接受EE Times的采訪時談到。

    目前英飛凌將部分生產(chǎn)業(yè)務(wù)外包給了晶圓代工合作伙伴特許半導(dǎo)體。

    多家芯片制造廠

    “45nm產(chǎn)品的出現(xiàn)為英飛凌提供了三家芯片制造廠，它們都能生產(chǎn)通信及其它類產(chǎn)品?！笔袌鲅芯抗緄Suppli的半導(dǎo)體-制造分析師Len Jelinek表示，“我認(rèn)為英飛凌可能將其主要生產(chǎn)業(yè)務(wù)交給特許半導(dǎo)體，而把IBM和三星作為候補力量，這樣在需求量很大的時期可以真正降低風(fēng)險。”

    Jelinek認(rèn)為，特許公司同時也獲益匪淺，因為目前已有三家主流公司委托它進(jìn)行制造代工。

    Jelinek指出，四家公司聯(lián)盟后，各自投入的費用比單獨開發(fā)所需的要少。通過在三星的S1 operation、特許的Fab 7以及IBM的Building 323等多地制造廠使用相同掩膜組，開發(fā)、驗證和量產(chǎn)的成本以及上市時間都得到大幅度下降。

    “撇開一些傳統(tǒng)的競爭問題不談，聯(lián)盟合作比單兵作戰(zhàn)能夠更快地達(dá)到目標(biāo)?！彼a充道。

    此次45nm技術(shù)宣布時，半導(dǎo)體制造業(yè)正處于一輪新的強勁增長周期中。晶圓代工業(yè)在2005年下跌了2.2%，但根據(jù)Gartner公司最近發(fā)布的預(yù)測數(shù)據(jù)，晶圓代工業(yè)務(wù)今年將回彈并增長19.8%，且在2007年將得到18.2%的增長。

    四家公司共同開發(fā)的針對45nm工藝的初期設(shè)計工具包已對其重要客戶開放。

    其它廠商也在奮力擠身45nm行列

    今年初，英特爾披露了其45nm工藝的初步細(xì)節(jié)，聲稱已生產(chǎn)出全球首批基于45nm的芯片，并將在2007年下半年做好量產(chǎn)準(zhǔn)備。另外，英特爾還宣布自己已有三家300mm制造廠能夠生產(chǎn)45nm芯片，包括俄勒岡州的D1D廠、亞力桑那州的Fab32和以色列的Fab28。2005年，英特爾投資在興建新制造廠及對現(xiàn)有工廠升級改造方面的資金超過40億美元。

    應(yīng)對晶圓代工競爭對手的挑戰(zhàn)，臺積電最近也披露了其45nm工藝的初步細(xì)節(jié)，并計劃在2007年第三季投入生產(chǎn)。據(jù)臺積電稱，其10層金屬層技術(shù)能使柵極長度減少到26nm。

    TI尚未對外宣布其45nm工藝，但該公司專用產(chǎn)品平臺經(jīng)理Peter Rickert表示，TI計劃2007年推出45nm的芯片樣品，并于2008年全面投產(chǎn)。

    與此同時，瑞薩科技和松下也宣布他們合作進(jìn)行的45nm工藝開發(fā)已進(jìn)入全面綜合測試階段。而東芝、索尼和NEC也打算開始45nm工藝技術(shù)的研發(fā)。