離子注入法制備GaN基稀釋磁性半導(dǎo)體薄膜的方法，將磁性離子如Mn及Fe、Co或Ni等注入GaN半導(dǎo)體薄膜中，即用離子注入的方法以150～250keV的能量注入磁性離子，然后在850－900℃、NH3氣氛條件下退火處理。DMS離子注入法是通過(guò)離子注入，將Fe、Mn、Co或Ni等磁性離子注入GaN基半導(dǎo)體材料中來(lái)制備磁性半導(dǎo)體的方法。與其他直接生長(zhǎng)方法相比，能夠?qū)崿F(xiàn)較高的離子摻雜濃度，因而可能制備出高居里溫度的磁性半導(dǎo)體材料。

　　主權(quán)項(xiàng)

    權(quán)利要求書(shū)1、離子注入法制備GaN基稀釋磁性半導(dǎo)體薄膜的方法，其特征是將磁性離子如Mn及Fe、Co或Ni等注入GaN半導(dǎo)體薄膜中，即用離子注入的方法以150～250keV的能量注入磁性離子，然后在850-900℃、NH3氣氛條件下退火處理。