復(fù)旦-諾發(fā)國際銅互連及相關(guān)技術(shù)研討會(huì)
Best Graduates Paper Contest
最佳研究生論文競(jìng)賽
論文截止日期：2008年2月28號(hào) 

    復(fù)旦-諾發(fā)國際銅互連及相關(guān)技術(shù)研討會(huì)將于2008年舉辦第一屆最佳研究生論文競(jìng)賽。該會(huì)議是由復(fù)旦-諾發(fā)互連研究中心舉辦的一年一次的國際會(huì)議，致力于為半導(dǎo)體工藝、先進(jìn)材料研究和銅互連技術(shù)的大學(xué)生、研究人員以及工業(yè)界工程師提供一個(gè)關(guān)于半導(dǎo)體新技術(shù)的交流討論平臺(tái)，并提供了與世界一流半導(dǎo)體技術(shù)專家交流學(xué)習(xí)的機(jī)會(huì)。

    本次最佳研究生論文競(jìng)賽的參賽對(duì)象為：中國大陸地區(qū)的高校及科研院所的在校研究生。參賽領(lǐng)域包括：

1，半導(dǎo)體制造和互連工藝中的新技術(shù)(Novel technology for semiconductor processing and interconnect) 
2，Cu/Low k 集成技術(shù) (Cu/Low k Integration) 
3，面向45nm及以下技術(shù)結(jié)點(diǎn)的PVD/CVD/ALD擴(kuò)散阻擋層和銅籽晶層 (PVD/CVD/ALD barrier and seed layers for copper for 45nm and beyond) 
4，化學(xué)機(jī)械拋光材料和工藝技術(shù)(CMP material and process technology) 
5，干法工藝（溝槽結(jié)構(gòu)和雙鑲嵌工藝，干法刻蝕工藝，等離子體造成的損傷，等） (Dry Processing (Trenches & Damascene structures, dry cleaning processes, plasma induced damage, etc.) 
6，先進(jìn)介質(zhì)材料（低介電常數(shù)介質(zhì)，高介電常數(shù)介質(zhì)，抗反射薄膜等）以及薄膜淀積工藝進(jìn)展（Advanced Dielectric materials (low k, high k, ARCs, etc.) and deposition processes development） 
7，先進(jìn)電鍍技術(shù)（Advanced electrofill technology） 
8，金屬化的可靠性研究（Reliability of metallization） 
9，先進(jìn)圖像轉(zhuǎn)移技術(shù)（Advanced patterning process） 
 
    論文競(jìng)賽組織者非常歡迎來自互連技術(shù)的所有領(lǐng)域的優(yōu)秀文章。最佳研究生論文競(jìng)賽評(píng)委會(huì)將由2008年受邀的報(bào)告者以及來自學(xué)術(shù)界和諾發(fā)系統(tǒng)有限公司的專業(yè)人員組成。

    論文要求以電子格式提交，內(nèi)容長(zhǎng)度為三頁A4紙，包括所有的說明和圖表。文章必須為未公開發(fā)表的原創(chuàng)性的文章。提交的文章如果已經(jīng)發(fā)表過、或在其它會(huì)議報(bào)告過將不會(huì)被接受。作者的聯(lián)系信息統(tǒng)一寫在文章的第一頁，內(nèi)容包括姓名，機(jī)構(gòu)，以及省市。文章必須用英文書寫。最佳論文競(jìng)賽的論文格式參考IITC會(huì)議的格式，電子模板將在會(huì)議競(jìng)賽網(wǎng)頁上登出。我們將在2008年3月發(fā)布文章是否被接收的通知，被接受的文章將在復(fù)旦－諾發(fā)國際互連研討會(huì)上進(jìn)行報(bào)告。

    入選文章的作者將給予相應(yīng)獎(jiǎng)勵(lì)：

一等獎(jiǎng) 1名；人民幣5000元；

二等獎(jiǎng) 2名；人民幣3000元，

三等獎(jiǎng) 3名；人民幣1000元。

鼓勵(lì)獎(jiǎng)：若干。 

請(qǐng)將文章在2008年2月之前以Email形式發(fā)送給：

諾發(fā)系統(tǒng)半導(dǎo)體設(shè)備（上海）有限公司
Helen Xu，Email: [email protected]