飛兆半導(dǎo)體器件獲《電子設(shè)計(jì)應(yīng)用》嘉許，
能顯著減低 SMPS 和 PFC 應(yīng)用的系統(tǒng)功耗，并同時(shí)提升效率和可靠性

《電子設(shè)計(jì)應(yīng)用》雜志是中國領(lǐng)先的電子設(shè)計(jì)出版刊物之一，該雜志日前舉行了2004年度電源產(chǎn)品獎(jiǎng)?lì)C獎(jiǎng)典禮，向飛兆半導(dǎo)體頒發(fā)了"最佳功率元器件大獎(jiǎng)"。這個(gè)頒獎(jiǎng)典禮于2005年5月25日在北京舉行，并與第二屆模塊電源與電源管理技術(shù)專題研討會(huì)同場(chǎng)進(jìn)行。

所有參選產(chǎn)品都根據(jù)多項(xiàng)關(guān)鍵標(biāo)準(zhǔn)進(jìn)行了嚴(yán)格的評(píng)審，包括市場(chǎng)地位和競(jìng)爭(zhēng)力、測(cè)試和應(yīng)用評(píng)估報(bào)告等。飛兆半導(dǎo)體的產(chǎn)品結(jié)果在其它領(lǐng)先供應(yīng)商的多種同類產(chǎn)品中脫穎而出，獲得殊榮。

飛兆半導(dǎo)體獲獎(jiǎng)的兩項(xiàng)高電壓MOSFET產(chǎn)品采用新型的SuperFET?技術(shù)，能大幅降低系統(tǒng)功率損耗，并且增加開關(guān)電源 (SMPS) 和功率因子校正 (PFC) 應(yīng)用的效率和可靠性。飛兆半導(dǎo)體的專利SuperFET技術(shù)利用多重外延層來構(gòu)成補(bǔ)償區(qū)域，以改善導(dǎo)通阻抗性能。FCP11N60和FCPF11N60 SuperFET MOSFET具有低FOM值 (FOM = RDS(on) x Qgd)，與擁有相同RDS(on)水平的產(chǎn)品相比，F(xiàn)CP11N60器件具有更佳的FOM。

FCP11N60和FCPF11N60都提供業(yè)界最佳的di/dt (最大值為1430 A/us)，這是由于它們具有寬體二極管，確保擁有更強(qiáng)大的堅(jiān)固性、超低RDS(on) (典型值為0.32 ohm)，以及低輸出電容 (典型值為Coss=35pF)。

與TO-3P封裝的標(biāo)準(zhǔn)平面結(jié)構(gòu)MOSFET提供的導(dǎo)通阻抗相同，飛兆半導(dǎo)體全新TO-220和 TO-220F 封裝的 MOSFET能提供更高的功率密度。FCP11N60和FCPF11N60提供優(yōu)化的柵極電荷水平 (典型值為Qg=40nC)，用于降低柵極驅(qū)動(dòng)功率和開關(guān)功率損耗。

飛兆半導(dǎo)體技術(shù)及應(yīng)用支持中心副總裁王瑞興稱："對(duì)于能夠獲得這項(xiàng)殊榮，我們深感自豪。這是對(duì)于公司的卓越技術(shù)和市場(chǎng)表現(xiàn)的認(rèn)可，飛兆半導(dǎo)體可藉此向新老客戶清楚地顯示與飛兆半導(dǎo)體合作所帶來的優(yōu)勢(shì)。"

FCP11N60和FCPF11N60分別備有TO-220 和TO-220F封裝，這些無鉛產(chǎn)品能達(dá)到甚至超越IPC/JEDEC的J-STD-020B標(biāo)準(zhǔn)要求，并符合現(xiàn)已生效的歐盟標(biāo)準(zhǔn)。SuperFET MOSFET的推出并與飛兆半導(dǎo)體用于SMPS和DC/DC轉(zhuǎn)換應(yīng)用的解決方案相輔相成，其中包括PFC/PWM控制器、橋式整流器和光耦合器。

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