美國國家半導(dǎo)體公司 (National Semiconductor Corporation今天宣布，該公司將于2006年6月底之前實(shí)現(xiàn)100%的無鉛生產(chǎn)。因此，該公司出售的所有集成電路都將采用無鉛包裝。 

    這一積極進(jìn)取的計(jì)劃是一項(xiàng)超前的計(jì)劃的一部分，該超前的計(jì)劃是為了生產(chǎn)更多不影響環(huán)境的電子元件、保護(hù)環(huán)境并方便回收利用。除了消除鉛之外，美國國家半導(dǎo)體還極大降低了封裝過程中基于溴和銻的阻燃劑。 

    2004年4月，美國國家半導(dǎo)體宣布該公司計(jì)劃為其全系列的集成電路提供無鉛封裝，而現(xiàn)在該公司15000個(gè)型號(hào)的模擬和混合信號(hào)集成電路已采用無鉛封裝。2006年6月底，美國國家半導(dǎo)體銷售的產(chǎn)品將完全實(shí)現(xiàn)無鉛封裝（《有害物質(zhì)限制條例》不作規(guī)定的除外），屆時(shí)，該公司將完全符合歐洲議會(huì) (European Parliament) 制定的《有害物質(zhì)限制條例》(Restriction of Hazardous Substances，RoHS)。然而，該公司降低鉛含量的目標(biāo)實(shí)際上比與其交易的國家的目標(biāo)更具積極進(jìn)取性。 

    鉛以前用來為基于銅引線框封裝進(jìn)行光澤裝飾。它還用于陣列封裝焊接球，這些陣列封裝包括微 SMD、塑膠球柵陣列 (PBGA) 和精細(xì)球柵陣列 (FBGA) 等封裝。美國國家半導(dǎo)體已用霧錫糙面精裝替代引線框封裝所采用的鉛，用錫、銀和銅的合金替代微 SMD 封裝中的鉛并用錫銀合金代替塑膠球柵陣列和精細(xì)球柵陣列封裝中的鉛。一旦這項(xiàng)積極進(jìn)取的計(jì)劃全面實(shí)施，美國國家半導(dǎo)體預(yù)計(jì)每年將替換掉約5噸的鉛。 

    美國國家半導(dǎo)體中心技術(shù)加工部門 (Central Technology Manufacturing Group) 執(zhí)行副總裁 Kamal Aggarwal 表示：“作為無鉛封裝技術(shù)的領(lǐng)導(dǎo)廠商，美國國家半導(dǎo)體正在努力拓展在環(huán)境友好且易于回收的高性能創(chuàng)新產(chǎn)品方面所做的努力。”